[實用新型]一種硅晶圓刻蝕裝置

有效

• 申請號: 202021612897.0
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN212434588U
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 朱博超;章志成;鄒嚴宇
• 申請（專利權）人: 浙江森田新材料有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 杭州新澤知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33311
• 代理人: 曾建芳

本實用新型涉及一種硅晶圓刻蝕裝置。采用的技術方案是：包括刻蝕裝置外殼、控制面板、硅晶圓承載機構、滴膠機構、均布機構、氮氣平布機構、檢測箱和恒溫恒濕機構，所述硅晶圓承載機構上部設置有所述滴膠機構，所述滴膠機構一側設置有所述均布機構，所述均布機構后側設置有所述氮氣平布機構。本實用新型的有益效果：通過刻蝕裝置外殼實現硅晶圓刻蝕裝置加工環境封閉，通過硅晶圓承載機構實現四片晶圓同時刻蝕加工，便于晶圓取放，通過滴膠機構保障加工過程中光刻膠滴膠均勻，同時保持光刻膠質量和品質，通過均布機構和氮氣平布機構實現對光刻膠均勻涂布，保障涂布平整，通過恒溫恒濕機構完成裝置內部空氣循環，保障工作環境穩定，保障硅晶圓刻蝕質量。

技術領域

本實用新型屬于晶圓蝕刻技術領域，涉及一種硅晶圓刻蝕裝置。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在半導體制造過程中，常常需要對晶圓背面減薄，背面薄膜去除，背面清洗及背面圖形蝕刻等，當前三維集成電路技術迅速發展，隨著雙面拋光技術的應用以及背面制程工藝被越來越頻繁地使用，這些處理工藝的形成需要藉由蝕刻技術來完成，廣義上講，所謂蝕刻技術，包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部分去除的技術，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，硅晶圓加工中其中一個重要的步驟為刻蝕，刻蝕主要是在完成顯影檢驗后，刻蝕工藝分為兩大類：濕法和干法刻蝕，而不管采用哪一種方法其目的都是需要將光刻掩膜版上的圖形精確的轉移到晶圓表面，在轉移中都是需要將光刻膠涂覆到硅片上，然后再通過曝光轉移設計圖形到光刻膠上，而光刻膠在添加至晶片上時，須嚴格控制其滴量，以保證晶片上光刻膠涂覆的均勻，但是由于膠體具有流動性以及粘性，在重力作用下會滴落在晶片上影響光刻膠在晶片上的均勻度，蝕刻過程對加工環境要求嚴格，光刻膠的滴膠均勻度直接決定了晶圓蝕刻品質。

實用新型內容

鑒于現有技術中所存在的問題，本實用新型公開了一種硅晶圓刻蝕裝置，采用的技術方案是，包括刻蝕裝置外殼、控制面板、硅晶圓承載機構、滴膠機構、均布機構、氮氣平布機構、檢測箱和恒溫恒濕機構，所述刻蝕裝置外殼一側設置有所述控制面板，所述刻蝕裝置外殼內側下部設置有所述硅晶圓承載機構，所述硅晶圓承載機構上部設置有所述滴膠機構，所述滴膠機構一側設置有所述均布機構，所述均布機構后側設置有所述氮氣平布機構，所述氮氣平布機構另一側設置有所述檢測箱，所述檢測箱上部設置有所述恒溫恒濕機構，檢測箱可檢測晶圓上光刻膠涂布情況，便于工作人員檢驗；

所述滴膠機構包括滴膠箱，所述滴膠箱內側設置有滴膠管道，所述滴膠管道上側固定連接分流管道，所述分流管道一側固定連接供膠泵，所述供膠泵后側固定連接供膠管道，所述供膠管道后側連接膠液儲存箱，所述膠液儲存箱后側上部設置有加注管道，所述滴膠管道通過插槽連接所述分流管道，所述分流管道通過螺栓連接所述供膠泵，所述供膠泵通過所述供膠管道連接所述膠液儲存箱，所述膠液儲存箱可完成膠液攪拌保持膠液溫度，保障加工過程中光刻膠滴膠均勻，同時保證光刻膠品質。

作為本實用新型的一種優選方案，所述刻蝕裝置外殼包括裝置殼體，所述裝置殼體前部設置有滑門軌道，所述滑門軌道前部滑動連接側滑門，所述側滑門上設置有觀察窗，所述裝置殼體底部設置有支撐墊，所述裝置殼體通過螺栓連接所述滑門軌道，所述滑門軌道通過滑槽連接所述側滑門，所述觀察窗為玻璃材質，所述支撐墊為橡膠材質，使硅晶圓刻蝕裝置加工環境封閉，保障加工質量穩定。