[實用新型]晶圓存儲裝置有效
| 申請號: | 202021527368.0 | 申請日: | 2020-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN212676230U | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 楊富可;楊浩;蘭升友;張嘉修 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 白雪 |
| 地址: | 402760 重慶市璧山區*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 裝置 | ||
1.一種晶圓存儲裝置,其特征在于,包括:
箱體,具有腔體,且所述箱體設置有惰性氣體進口和開口,所述開口用于使晶圓進出;
門體,設置在所述箱體的所述開口處,所述門體用于控制所述開口的開閉;
惰性氣體供應單元,與所述惰性氣體進口相連通,且所述惰性氣體供應單元用于向所述箱體內吹掃惰性氣體。
2.如權利要求1所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述箱體內設置有分隔壁,所述分隔壁將所述腔體分隔為晶圓存儲腔和進氣腔,所述晶圓存儲腔和所述進氣腔相連通,且所述進氣腔與所述惰性氣體進口相連通,所述晶圓存儲腔用于存儲晶圓。
3.如權利要求2所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述晶圓存儲腔包括至少一個子存儲腔,所述子存儲腔中設置有晶圓載片臺,且所述子存儲腔與所述進氣腔相連通。
4.如權利要求3所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述子存儲腔對應的所述分隔壁還設置有至少一個進氣通道,所述子存儲腔通過所述進氣通道與所述進氣腔相連通。
5.如權利要求4所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述晶圓存儲裝置還包括噴氣單元,所述噴氣單元一一對應設置在所述進氣通道的出口處。
6.如權利要求5所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述噴氣單元朝向所述晶圓載片臺設置。
7.如權利要求3至6中任一項所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述箱體還設置有排氣口,所述子存儲腔與所述排氣口相連通。
8.如權利要求7所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,
所述箱體包括:
第一側壁,具有所述開口,所述門體對應所述開口設置;
第一頂壁,與所述第一側壁相連,所述第一頂壁設置有所述惰性氣體進口;
第一底壁,與所述第一側壁相連,所述第一底壁與所述第一頂壁相對設置;
所述分隔壁包括:
第二側壁,設置在所述腔體中,所述第二側壁與所述第一側壁及所述第一底壁相連;
第三側壁,設置在所述腔體中,與所述第二側壁相對設置,所述第三側壁與所述第一側壁及所述第一底壁相連;
第二頂壁,設置在所述腔體中,所述第二頂壁與所述第一頂壁之間具有間隙,且所述第二頂壁與所述第二側壁及所述第三側壁相連;
其中,所述第二頂壁、所述第二側壁、所述第三側壁、所述第一側壁及所述第一底壁圍繞形成所述晶圓存儲腔,所述第一頂壁、所述第一側壁、所述第一底壁、所述第二側壁及所述第三側壁圍繞形成所述進氣腔。
9.如權利要求8所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述排氣口包括至少一個,且各所述子存儲腔對應的所述第一側壁上均設置有所述排氣口。
10.如權利要求1至6中任一項所述的晶圓存儲裝置,其特征在于,所述晶圓存儲裝置還包括自動控制單元,所述自動控制單元與所述門體電連接,所述自動控制單元用于控制所述門體進行開閉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





