[實(shí)用新型]一種適用于光伏超大硅片的石墨舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021519143.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN212676229U | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉世強(qiáng);王斯海;姚騫;王亞楠;王廣華;李冬玫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 通威太陽能(眉山)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/673 | 分類號(hào)： | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人： | 鄧蕓 |
| 地址： | 620041 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 適用于 超大 硅片 石墨 | ||
1.一種適用于光伏超大硅片的石墨舟，包括多排連接在一起的石墨舟片(1)，所述石墨舟片(1)上設(shè)有多個(gè)石墨舟槽(2)，其特征在于，所述石墨舟片(1)上設(shè)置有用于固定硅片(6)的卡點(diǎn)組件，所述卡點(diǎn)組件分布在石墨舟槽(2)的四周，所述卡點(diǎn)組件包括底卡點(diǎn)(3)、側(cè)卡點(diǎn)(4)和頂卡點(diǎn)(5)，所述側(cè)卡點(diǎn)(4)有兩個(gè)且分設(shè)在石墨舟槽(2)的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于光伏超大硅片的石墨舟，其特征在于，所述底卡點(diǎn)(3)至少設(shè)有兩個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于光伏超大硅片的石墨舟，其特征在于，所述頂卡點(diǎn)(5)設(shè)在石墨舟槽(2)的頂部邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于光伏超大硅片的石墨舟，其特征在于，兩個(gè)所述的側(cè)卡點(diǎn)(4)不處于同一水平高度，其中，一個(gè)側(cè)卡點(diǎn)(4)位于石墨舟槽(2)一側(cè)的上部，另一個(gè)側(cè)卡點(diǎn)(4)位于石墨舟槽(2)另一側(cè)的下部。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
