[實(shí)用新型]鍍膜設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021509116.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN213417009U | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宗堅(jiān) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/50 | 分類號(hào): | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 寧波理文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 羅京;王麗芳 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 設(shè)備 | ||
1.鍍膜設(shè)備,其特征在于,包括:
一鍍膜裝置,所述鍍膜裝置用于通過等離子體氣相沉積的方式形成膜層;
一原料氣化裝置,所述原料氣化裝置用于為所述鍍膜設(shè)備提供氣化原料,所述原料氣化裝置包括:
一第一級(jí)氣化部件,所述第一級(jí)氣化部件用于將送入的原料進(jìn)行初級(jí)氣化;
一第二級(jí)氣化部件,所述第二級(jí)氣化部件用于將第一級(jí)氣化部件初級(jí)氣化后的原料進(jìn)一步氣化;和
一進(jìn)料控制部,其中所述進(jìn)料控制部用于送入需要被氣化的原料,所述進(jìn)料控制部控制地連通所述第一級(jí)氣化部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其中所述進(jìn)料控制部的進(jìn)料方向大致沿豎直的方向,所述第一級(jí)氣化部件和所述第二級(jí)氣化部件大致沿水平方向布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其中所述進(jìn)料控制部包括一第一進(jìn)料嘴、一組控制閥和一組進(jìn)料管,所述第一進(jìn)料嘴、所述一組控制閥和所述一組進(jìn)料管通過所述一組控制閥可控制地連通形成一進(jìn)料通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備,其中所述進(jìn)料通道大致沿豎直方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備,其中所述一組控制閥包括一第一控制閥和一第二控制閥,所述第一控制閥和所述第一進(jìn)料嘴連接,所述第二控制閥通過一進(jìn)料管連接所述第一控制閥。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一控制閥是一隔膜閥,所述第二控制閥是一三通閥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一級(jí)氣化部件包括一第一氣化箱,所述第一氣化箱具有一預(yù)熱腔和一第一加熱腔,所述預(yù)熱腔和所述第一加熱腔部分地連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一氣化箱具有一第一入口,所述第一入口連通所述預(yù)熱腔,所述進(jìn)料控制部連接于所述第一入口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一氣化箱具有一局部連通通道,所述局部連通通道布局連通所述預(yù)熱腔和所述第一加熱腔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一入口和所述局部連通通道錯(cuò)位地設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜設(shè)備,其中所述預(yù)熱腔和所述第一加熱腔沿豎向并列地設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一級(jí)氣化部件包括一組加熱件,所述一組加熱件包括一預(yù)熱件和一第一加熱件,所述預(yù)熱件為所述預(yù)熱腔加熱,所述第一加熱件為所述第一加熱腔加熱,所述預(yù)熱件和所述第一加熱件相互獨(dú)立地加熱。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一氣化箱具有一第一出口,所述第一出口連通所述第一加熱腔,所述第一出口與所述局部連通通道相對(duì)側(cè)地設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一入口的位置高于所述第一出口的位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一氣化箱包括一第一主體和一第一蓋體,所述第一蓋體可拆卸地連接于所述第一主體,所述第一蓋體和所述第一主體相接形成所述預(yù)熱腔和所述第一加熱腔。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一氣化箱包括第一密封件,所述第一密封件被設(shè)置于所述第一蓋體和所述第一主體相接的位置。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍膜設(shè)備,其中所述第一主體包括一間隔壁,將所述第一主體內(nèi)部分隔為兩個(gè)空間。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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