[實用新型]一種半導(dǎo)體制冷片靶材冷卻裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021504416.4
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN212713734U
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳文斌
• 申請（專利權(quán)）人: 江西北冰洋實業(yè)有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 南昌賢達專利代理事務(wù)所(普通合伙) 36136
• 代理人: 金一嫻

本實用新型公開了一種半導(dǎo)體制冷片靶材冷卻裝置，具體涉及濺射鍍膜領(lǐng)域，包括靶材，所述靶材的底部設(shè)置有承載盒，所述承載盒內(nèi)腔的底部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷片，所述半導(dǎo)體制冷片的底部固定連接有第一支撐桿，所述承載盒內(nèi)腔的中部設(shè)置環(huán)形半導(dǎo)體制冷片，所述環(huán)形半導(dǎo)體制冷片外圈的壁體固定連接有第二支撐桿，所述承載盒的頂端套接有第一旋轉(zhuǎn)卡件。本實用新型，通過多方位的設(shè)置第一半導(dǎo)體制冷片、環(huán)形半導(dǎo)體制冷片、第二半導(dǎo)體制冷片對靶材進行包覆，大幅減少冷卻時間，提高了冷卻的效率，實現(xiàn)靶材的高效散熱，保證了靶材溫度的穩(wěn)定性和精確可控性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本實用新型涉及一種半導(dǎo)體制冷片靶材冷卻裝置。

背景技術(shù)

濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點，而上世紀70年代發(fā)展起來的濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

目前，濺射的靶材多采用水冷卻的方式，但是由于水的冰點溫度較高，不能實現(xiàn)更低溫度以下的冷卻效果，而且冷卻水的溫度不容易控制，這將直接影響的靶材的溫度，導(dǎo)致成膜質(zhì)量不高。本發(fā)明提供一種濺射半導(dǎo)體制冷片靶材制冷平臺，其能夠在更低溫度下來使靶材降溫，使靶材的溫度保持穩(wěn)定。

實用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實用新型的實施例提供一種半導(dǎo)體制冷片靶材冷卻裝置，通過多方位的設(shè)置第一半導(dǎo)體制冷片、環(huán)形半導(dǎo)體制冷片、第二半導(dǎo)體制冷片對靶材進行包覆，大幅減少冷卻時間，提高了冷卻的效率，實現(xiàn)靶材的高效散熱，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種半導(dǎo)體制冷片靶材冷卻裝置，包括靶材，所述靶材的底部設(shè)置有承載盒，所述承載盒內(nèi)腔的底部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷片，所述半導(dǎo)體制冷片的底部固定連接有第一支撐桿，所述承載盒內(nèi)腔的中部設(shè)置環(huán)形半導(dǎo)體制冷片，所述環(huán)形半導(dǎo)體制冷片外圈的壁體固定連接有第二支撐桿，所述承載盒的頂端套接有第一旋轉(zhuǎn)卡件，所述靶材的頂部設(shè)置有蓋體，所述蓋體內(nèi)腔的底部設(shè)置有第二半導(dǎo)體制冷片，所述第二半導(dǎo)體制冷片的頂部固定連接有定位導(dǎo)桿，所述定位導(dǎo)桿的底端套設(shè)有壓縮彈簧，所述定位導(dǎo)桿的頂端套設(shè)有防脫環(huán)，所述蓋體內(nèi)腔的頂部設(shè)置有承臺，所述承臺的底部開設(shè)有升降槽，所述升降槽內(nèi)腔的底部安裝有限位環(huán)，所述承臺的頂部嵌接有減磨球，所述承臺的頂端套設(shè)有軸承，所述蓋體的底端套設(shè)有第二旋轉(zhuǎn)卡件。

在一個優(yōu)選地實施方式中，所述承載盒為頂部與外界相連通的空腔結(jié)構(gòu)，所述第一支撐桿的數(shù)量不少于五個，第一支撐桿的底端固定連接在承載盒底部的內(nèi)壁上，所述第二支撐桿的數(shù)量不少于八個，第二支撐桿遠離環(huán)形半導(dǎo)體制冷片的一端固定連接在承載盒側(cè)面的內(nèi)壁上。

在一個優(yōu)選地實施方式中，所述靶材設(shè)置在環(huán)形半導(dǎo)體制冷片內(nèi)圈的內(nèi)部，靶材的底端貼合第一半導(dǎo)體制冷片頂部的外壁，靶材的正面、背面以及左右兩側(cè)貼合環(huán)形半導(dǎo)體制冷片內(nèi)圈的壁體。

在一個優(yōu)選地實施方式中，所述蓋體為底部與外界相連通的空腔結(jié)構(gòu)，所述蓋體底部的外壁貼合承載盒頂部的外部，所述承載盒與第一旋轉(zhuǎn)卡件的壁體緊密貼合并固定連接，所述蓋體與第二旋轉(zhuǎn)卡件的壁體緊密貼合并固定連接，所述第一旋轉(zhuǎn)卡件與第二旋轉(zhuǎn)卡件相適配。

在一個優(yōu)選地實施方式中，所述第二半導(dǎo)體制冷片的底端由蓋體底部的開口以及承載盒頂部的開口延伸至承載盒的內(nèi)部，第二半導(dǎo)體制冷片的底端貼合靶材頂部的外壁。

在一個優(yōu)選地實施方式中，所述定位導(dǎo)桿的數(shù)量不少于四個，定位導(dǎo)桿與升降槽對應(yīng)設(shè)置，定位導(dǎo)桿的頂端貫穿限位環(huán)并延伸至升降槽的內(nèi)部，定位導(dǎo)桿貼合限位環(huán)的壁體。