[實用新型]一種用于PMOS管的襯底電位選擇電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021195331.2 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN212305284U | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周威威;尹喜珍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海芯跳科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海融力天聞律師事務所 31349 | 代理人： | 張一超 |
| 地址： | 201199 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 pmos 襯底 電位 選擇 電路 | ||
1.一種用于PMOS管的襯底電位選擇電路，其特征在于，包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的襯底和所述第一PMOS管的漏極連接第一電源；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的源極連接，所述第一NMOS管的襯底與所述第一NMOS管的源極連接接地，所述第一NMOS管的柵極與所述第一PMOS管的柵極連接共同連接第二電源；
反相器，包括輸入端和輸出端；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的柵極與所述反相器的輸出端連接，所述第二PMOS管的襯底與所述第二PMOS管的源極連接，所述第二PMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極共同連接所述第一電源；
第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的漏極、所述第一PMOS管的源極和所述反相器的輸入端連接，所述第三PMOS管襯底與所述第三PMOS管漏極、所述第二PMOS管的襯底和所述第二PMOS管的源極共同連接形成選擇輸出端，所述第三PMOS管的源極連接所述第二電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于PMOS管的襯底電位選擇電路，其特征在于，所述反相器還包括：
第四PMOS管，所述第四PMOS管的襯底與所述第四PMOS管的漏極共同連接第二電源；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與所述第四PMOS管的柵極形成所述反相器的輸入端，所述第二NMOS管的襯底與所述第二NMOS管的源極連接接地，所述第二NMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極共同形成所述反相器的輸出端。
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