[實用新型]一種雙面散熱的半導體堆疊封裝結構

有效

• 申請號: 202021104617.5
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN212676248U
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 周剛
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/492;H01L23/498
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

1.一種雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，包括：

金屬片(10)；

中間載體(30)，其包括多組上層外引組件，所述上層外引組件包括設于頂層的第一焊接區(31)，還包括設于底層的并與所述第一焊接區(31)電氣連通的第二焊接區(32)；

引線框架(50)，其包括基島(51)、上層引出管腳(52)和下層引出管腳(53)；所述第二焊接區(32)通過導電連接件(90)與所述上層引出管腳(52)電連接；

至少一上層芯片(20)，所述上層芯片(20)的頂部通過第一焊材層(71)與所述金屬片(10)連接，所述上層芯片(20)的底部通過第二焊材層(72)與所述中間載體(30)的頂部連接；所述上層芯片(20)的頂部的電極依次通過金屬線(80)、所述上層外引組件、導電連接件(90)與所述上層引出管腳(52)電連接；

至少一下層芯片(40)，所述下層芯片(40)的頂部通過第三焊材層(73)與所述中間載體(30)的底部連接，所述下層芯片(40)的底部通過第四焊材層(74)與所述基島(51)連接；所述下層芯片(40)的頂部的電極通過金屬線(80)與所述下層引出管腳(53)電連接；

封裝體(60)，其包覆所述金屬片(10)、中間載體(30)、引線框架(50)、上層芯片(20)和下層芯片(40)，所述金屬片(10)由所述封裝體(60)的其一側面露出以用于散熱，所述基島(51)由所述封裝體(60)的另一側面露出以用于散熱；所述上層引出管腳(52)和所述下層引出管腳(53)均伸出所述封裝體(60)以用于與外部的電路載體電連接。

2.根據權利要求1所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述金屬片(10)的頂面由所述封裝體(60)的頂面露出以用于散熱，所述基島(51)的底面由所述封裝體(60)的底面露出以用于散熱；所述第一焊材層(71)與所述第四焊材層(74)均為導熱焊材層。

3.根據權利要求1所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述中間載體(30)為DBC覆銅板，所述第一焊接區(31)為第一覆銅區，所述第二焊接區(32)為第二覆銅區，所述第一覆銅區與所述第二覆銅區通過所述DBC覆銅板上的電氣導通孔(36)電連接。

4.根據權利要求1所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，包括多個所述上層引出管腳(52)和多個所述下層引出管腳(53)；不同的所述上層引出管腳(52)用于與所述上層芯片(20)的不同電極電連接，不同的所述下層引出管腳(53)用于與所述下層芯片(40)的不同電極電連接。

5.根據權利要求1-4任一項所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述上層芯片(20)的正面設有第一源極和第一柵極；所述第一源極依次通過第一金屬線(80)、第一上層外引組件、第一導電連接件(90)與第一上層引出管腳(52)電連接；所述第一柵極依次通過第二金屬線(80)、第二上層外引組件、第二導電連接件(90)與第二上層引出管腳(52)電連接。

6.根據權利要求1-4任一項所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述上層芯片(20)的背面設有第一漏極，所述第一漏極依次通過第三金屬線(80)、第三上層外引組件、第三導電連接件(90)與第三上層引出管腳(52)電連接。

7.根據權利要求1-4任一項所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述下層芯片(40)的正面設有第二源極和第二柵極，所述第二源極和所述第二柵極分別通過不同的金屬線(80)與不同的下層引出管腳(53)電連接。

8.根據權利要求1-4任一項所述的雙面散熱的半導體堆疊封裝結構，其特征在于，所述中間載體(30)為DBC覆銅板，所述中間載體(30)還包括設于頂面的第三焊接區(33)和設于底面的第四焊接區(34)，所述第三焊接區(33)域所述第四焊接區(34)通過電氣導通孔(36)進行電氣連接；所述上層芯片(20)的底面的電極與所述第三焊接區(33)電連接，所述第四焊接區(34)域與所述下層芯片(40)頂面的電極電連接。