[實用新型]一種無載體的半導體疊層封裝結構有效
| 申請號: | 202021104553.9 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN212182316U | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 周剛 | 申請(專利權)人: | 杰群電子科技(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/492;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884 | 代理人: | 唐明磊 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 載體 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,包括上層封裝件(100)和下層封裝件(200);
所述上層封裝件(100)包括:
上層芯片(110);
上層引線框架,其包括上層第一管腳(121);
上層金屬片組件,其包括上層第一金屬片(131);所述上層第一金屬片(131)通過上層第一焊接件(141)與所述上層第一管腳(121)電連接,并通過上層第二焊接件(142)與所述上層芯片(110)電連接;
上層封裝體(150),其包覆所述上層芯片(110)、所述上層引線框架和所述上層金屬片組件;所述上層第一金屬片(131)的一部分由所述上層封裝體(150)露出,所述上層第一管腳(121)由所述上層封裝體(150)的底部露出;
所述下層封裝件(200)包括:
下層芯片(210);
下層引線框架,其包括相互絕緣的下層第一管腳(221)和下層第二管腳(222);
下層金屬片組件,其包括相互絕緣的下層第一金屬片(231)和下層第二金屬片(232);所述下層第一金屬片(231)通過下層第一焊接件(241)與所述下層第一管腳(221)電連接,并通過下層第二焊接件(242)與所述下層芯片(210)電連接;所述下層第二金屬片(232)與所述下層第二管腳(222)電連接;
下層封裝體(250),其包覆所述下層芯片(210)、所述下層引線框架和所述下層金屬片組件;所述下層第二金屬片(232)由所述下層封裝體(250)的頂部露出,所述下層第一管腳(221)的一部分、所述下層芯片(210)的一部分和所述下層第二管腳(222)的一部分由所述下層封裝體(250)露出;
所述上層封裝件(100)的底部通過中間結合層與所述下層封裝件(200)的頂部連接;所述上層第一管腳(121)與所述下層第二金屬片(232)電連接。
2.根據權利要求1所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述上層第一焊接件(141)、所述上層第二焊接件(142)、所述下層第一焊接件(241)、所述下層第二焊接件(242)均為焊錫層。
3.根據權利要求1所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述上層第一金屬片(131)的頂部由所述上層封裝體(150)的頂部露出,所述下層芯片(210)的底部由所述下層封裝體(250)的底部露出。
4.根據權利要求1所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述上層封裝體(150)與所述下層封裝體(250)之間具有散熱間隙,所述上層芯片(110)的底部由所述上層封裝體(150)的底部露出于所述散熱間隙內。
5.根據權利要求1所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述上層封裝體(150)與所述下層封裝體(250)之間具有散熱間隙,所述下層第一金屬片(231)的頂部由所述下層封裝體(250)的頂部露出于所述散熱間隙內。
6.根據權利要求1所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述下層第一管腳(221)的底部、所述下層第二管腳(222)的底部均由所述下層封裝體(250)的底部露出。
7.根據權利要求1-6任一項所述的無載體的半導體疊層封裝結構,其特征在于,所述上層引線框架還包括與所述上層第一管腳(121)絕緣的上層第二管腳(122),所述上層金屬片組件還包括與所述上層第一金屬片(131)絕緣的上層第二金屬片(132);所述上層第二管腳(122)與所述上層第二金屬片(132)連接;所述上層第二金屬片(132)的頂部由所述上層封裝件(100)的頂部露出,所述上層第二管腳(122)的底部由所述上層封裝件(100)的底部露出。
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