[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202021092666.1
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN212482727U
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 鄧登峰
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: G01K1/16
• 分類號: G01K1/16;H01L23/367
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

第一基板，包括若干貫穿其正面和背面的第一過孔；

溫度傳感器管芯，位于所述第一基板的正面上；

第二基板，位于所述第一基板的正面上并覆蓋所述溫度傳感器管芯，所述第一基板的正面與所述第二基板的正面相對；

第三基板，位于所述第一基板與所述第二基板之間，所述第三基板具有貫穿其正面和背面的容置空間，所述溫度傳感器管芯位于所述容置空間內；

其中，所述第一基板的背面為感溫面，所述感溫面用于獲取熱量并通過所述第一過孔將熱量傳遞至所述溫度傳感器管芯。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一過孔均勻分布于所述第一基板對應所述容置空間的區域內。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：

若干外接焊盤，位于所述第二基板的背面并與所述溫度傳感器管芯的對應引腳電性連接。

4.如權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二基板包括若干貫穿其正面和背面的第二過孔，所述第三基板包括若干貫穿其正面和背面的第三過孔，所述第二過孔的一端與對應的外接焊盤電性連接，另一端通過所述第三過孔與所述溫度傳感器管芯的對應引腳電性連接。

5.如權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二過孔與所述第三過孔一一對應，所述第二過孔及所述第三過孔的兩端均設置有第一內接焊盤，所述第二過孔與對應的第三過孔通過對應的第一內接焊盤電性連接，所述第二過孔與所述溫度傳感器管芯的對應引腳通過對應的第二內接焊盤和引線電性連接。

6.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二內接焊盤設置于所述第一基板的正面且分為兩組，兩組第二內接焊盤中相對應的第二內接焊盤電性連接，其中一組第二內接焊盤位于所述第一基板對應所述容置空間的區域外且與對應的第二過孔的第一內接焊盤電性連接，另一組第二內接焊盤位于所述第一基板對應所述容置空間的區域內且通過所述引線與所述溫度傳感器管芯的對應引腳電性連接。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：

導熱粘結膠層，位于所述溫度傳感器管芯的背面與所述第一基板的正面之間，以粘結所述溫度傳感器管芯的背面與所述第一基板的正面；

導熱灌封膠層，覆蓋所述溫度傳感器管芯的正面并周向延伸至覆蓋部分所述第一基板的正面，以將所述溫度傳感器管芯與外界隔離。

8.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述溫度傳感器管芯包括：

第一背金層，覆蓋所述溫度傳感器管芯的背面。

9.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述溫度傳感器管芯的厚度小于60微米。

10.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，第一基板還包括：

第二背金層，覆蓋所述第一基板的背面。

11.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一基板的正面對應所述容置空間的區域上覆蓋有一鍍金層。

12.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，第一基板的厚度小于200微米。

13.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一基板、第二基板和第三基板均為PCB板。