[實用新型]半導(dǎo)體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021070914.2
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN212010971U
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欽福;林昭維;朱家儀;馮立偉;童宇誠
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，包含：

一基底；

多個主動區(qū)，位于所述基底上；以及

多個位線，相互平行地沿著第一方向間隔地位于所述基底上，所述位線橫跨所述主動區(qū)，其中，各所述位線具有相對的第一端與第二端，所述位線的所述第一端及所述第二端呈錯位排列且分別具有不同的長度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，任意相鄰的兩個所述位線之間的間距小于任意相鄰的兩個所述第一端之間的間距。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，任意相鄰的兩個所述位線之間的間距小于任意相鄰的兩個所述第二端之間的間距。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，所述基底包括一存儲區(qū)域與一外圍區(qū)域，所述位線位于所述存儲區(qū)域內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，還包括：

多個閘極，設(shè)置在所述基底內(nèi)，多個所述閘極相互平行地沿著第二方向排列，所述第二方向不同于所述第一方向。

6.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，包含：

一基底；

多個主動區(qū)，位于所述基底上；

多個字線，位于所述基底內(nèi)，所述多個字線相互平行地沿著第二方向排列；以及

多個位線，相互平行地沿著第一方向間隔地設(shè)置在所述基底上，所述第一方向不同于所述第二方向，多個所述位線橫跨所述主動區(qū)，其中，多個所述位線中的一部分的所述位線與多個所述字線之間的重疊面積小于所述多個位線中的其他位線。