[實用新型]一種射頻芯片的襯底隔離結構有效
| 申請號： | 202021058349.8 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN211828775U | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發明（設計）人： | 張智;向祥林 | 申請（專利權）人： | 蘇州羋圖光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 蘇州智品專利代理事務所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐學青 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市中國(蘇州)自由貿易試*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 芯片 襯底 隔離 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：包括襯底，所述襯底的一側配置有襯底底盤，
所述襯底底盤、用以配置被保護電路，
所述襯底底盤的外側依次間隔的配置有Ptap保護環、Ntap保護環及deep trench保護環，
所述Ptap保護環以及Ntap保護環連接GND端。
2.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：所述被保護電路包括mos開關管、npn開關管、電阻及集成電感中的一種或其組合。
3.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：襯底呈圓柱狀或四方體狀。
4.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：所述Ptap保護環與所述Ntap保護環間配置有STI保護層，
所述Ptap保護環的一端連接外置的所述GND端。
5.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：
所述Ptap保護環的寬度介于5～10um。
6.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：所述Ntap保護環的寬度介于5～10um。
7.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：所述Ptap保護環與Ntap保護環之間的間距≥5um。
8.如權利要求1所述的射頻芯片的襯底隔離結構，其特征在于：
所述Ptap保護環與deep trench保護環之間的間距≥5um。
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