[實用新型]液處理裝置有效
| 申請號: | 202021007532.5 | 申請日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN213124375U | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 梶原英樹;米光祐彌;山中晉一郎;水篠真一;飯田成昭;川上浩平;東徹 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備:
多個基板保持部,其分別保持基板;
第1噴嘴,其為了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第1噴出位置向該基板噴出第1處理液而以各所述基板保持部為單位設置;
第2噴嘴,其相對于所述第1噴嘴獨立地移動,在保持于各所述基板保持部的基板之上的第2噴出位置以遲于所述第1處理液的噴出的方式向該基板噴出涂敷膜形成用的第2處理液,該第2噴嘴被所述多個基板保持部共用;
第1待機部和第2待機部,其使所述第1噴嘴、所述第2噴嘴分別于俯視時在所述基板由各基板保持部保持的保持區域的外側待機;以及
回轉機構,其使所述第1噴嘴于俯視時在所述第1待機部與所述第1噴出位置之間回轉。
2.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
自所述第1噴嘴對所述基板供給稀釋劑作為第1處理液,自所述第2噴嘴對所述基板供給在所述基板上形成膜的處理液作為所述第2處理液。
3.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
所述多個基板保持部位包括能夠分別獨立地保持基板的3個基板保持部。
4.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
除了所述第1噴出位置和所述第2噴出位置在俯視時相互重疊的通用噴出位置之外,所述第1待機部與第1噴出位置之間的所述第1噴嘴在俯視時的第1移動軌跡、和所述第2待機部與第2噴出位置之間的所述第2噴嘴在俯視時的第2移動軌跡成為表示互不重疊的相對于該通用噴出位置不同方向的路徑的線。
5.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備:
照明,其與所述第2噴嘴一起移動,向該第2噴嘴照射光;以及
拍攝部,其與所述第2噴嘴一起移動,拍攝由所述照明照射了光的該第2 噴嘴。
6.根據權利要求5所述的液處理裝置,其特征在于,
所述照明以從互不相同的方向向所述第2噴嘴照射光的方式設置有多個。
7.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
從所述第1噴嘴向所述基板噴出所述第1處理液的期間比從所述第2噴嘴向該基板噴出所述第2處理液的期間長。
8.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
將保持于一個所述基板保持部的所述基板設為第1基板,將保持于另一所述基板保持部的所述基板設為第2基板,
將從所述第1噴嘴自所述第1待機部開始移動的時刻到所述第2噴嘴結束第2處理液的噴出的時刻設為連續處理,
該液處理裝置設置有控制部,該控制部輸出控制信號,以使對所述第1基板進行所述連續處理的期間與對所述第2基板進行所述連續處理的期間重疊。
9.根據權利要求8所述的液處理裝置,其特征在于,
所述控制部在對所述第1基板進行的所述連續處理的執行過程中根據該連續處理結束的時刻決定開始對所述第2基板進行所述連續處理的時刻。
10.根據權利要求9所述的液處理裝置,其特征在于,
所述控制部將所述第2基板處的從所述第1處理液的噴出結束到噴出所述第2處理液的間隔調整到所預先設定的范圍內。
11.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
在從所述第1噴嘴向所述基板噴出所述第1處理液的過程中,所述第2噴嘴在該基板之上待機。
12.根據權利要求11所述的液處理裝置,其特征在于,
在自所述第1噴嘴向所述基板噴出所述第1處理液的過程中,所述第2噴嘴在相對于與所述第1噴出位置重疊的所述第2噴出位置在水平方向上偏離的位置待機。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202021007532.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種利用中藥治療色斑的噴霧按摩裝置
- 下一篇:一種防松動鏈式抱箍
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





