[實(shí)用新型]一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202021001501.9
• 申請(qǐng)日: 2020-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN212553303U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藍(lán)寶;李清彬;韓景瑞;周澤成;楊旭騰;邱樹(shù)杰;馮禹
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B24B37/10
• 分類(lèi)號(hào): B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B47/14;B24B57/02;B24B47/12
• 代理公司: 廣東莞信律師事務(wù)所 44332
• 代理人: 謝樹(shù)宏

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，包括機(jī)架和可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置于所述機(jī)架上的拋光盤(pán)，所述拋光盤(pán)上固定有一拋光墊，所述拋光墊邊緣處至少設(shè)有一可轉(zhuǎn)動(dòng)并可下壓的拋光頭組件，所述拋光頭組件底部設(shè)有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部設(shè)有用于吸附所述晶片的吸氣通道。本實(shí)用新型利用拋光頭組件吸附晶片并將晶片下壓至旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光晶片，使晶片翹曲面平坦化。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置。

背景技術(shù)

第三代半導(dǎo)體由于其特殊的物理、化學(xué)及良好的光學(xué)性能，在航空航天、探測(cè)衛(wèi)星等先進(jìn)領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛，因此對(duì)晶片無(wú)缺陷生長(zhǎng)及無(wú)損傷加工的要求也越來(lái)越高。

SiC晶片在外延工藝過(guò)程中，處于1000攝氏度以上的高溫環(huán)境內(nèi)，SiC晶片受熱應(yīng)力的影響翹曲會(huì)增大。晶片翹曲偏大對(duì)器件的制備有一定的影響，嚴(yán)重的情況會(huì)導(dǎo)致光刻不準(zhǔn)確。通常利用刻蝕或利用堿性溶液對(duì)晶片進(jìn)行電離，解決晶片翹曲問(wèn)題，但這些工藝條件要求苛刻，且加工效率不高，難以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

因此，發(fā)明人致力于設(shè)計(jì)一種拋光裝置以解決上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于：提供一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，利用拋光頭組件吸附晶片并將晶片下壓至旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光晶片，使晶片翹曲面平坦化。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的一種技術(shù)方案為：

一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，包括機(jī)架和可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置于所述機(jī)架上的拋光盤(pán)，所述拋光盤(pán)上固定有一拋光墊，所述拋光墊邊緣處至少設(shè)有一可轉(zhuǎn)動(dòng)并可下壓的拋光頭組件，所述拋光頭組件底部設(shè)有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部設(shè)有用于吸附所述晶片的吸氣通道。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上貼附有保護(hù)膜。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述拋光頭組件包括陶瓷盤(pán)和拋光固定頭，所述拋光固定頭疊加固定于所述陶瓷盤(pán)上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盤(pán)底部。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述拋光固定頭通過(guò)一修整環(huán)與所述陶瓷盤(pán)固定連接，所述修整環(huán)套設(shè)于所述陶瓷盤(pán)和拋光固定頭外。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述拋光固定頭上穿設(shè)有多個(gè)上吸氣孔，所述陶瓷盤(pán)上穿設(shè)有多個(gè)下吸氣孔，所述上吸氣孔與所述下吸氣孔之間通過(guò)設(shè)置于所述拋光固定頭底部的連接腔連通，形成所述吸氣通道，所述吸氣通道與所述收容槽連通。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述上吸氣孔上設(shè)有吸氣管，多個(gè)所述吸氣管通過(guò)同一管道與真空泵連接。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述拋光頭組件由固定于所述機(jī)架上的氣缸驅(qū)動(dòng)上下移動(dòng)，所述氣缸位于所述拋光頭組件上方并通過(guò)一框型的支架與所述拋光頭組件固定連接。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述支架上固定設(shè)有一供所述氣缸的氣缸軸穿過(guò)的軸承座，所述支架相對(duì)所述氣缸軸轉(zhuǎn)動(dòng)。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述氣缸軸穿過(guò)所述支架且其末端固定有一電機(jī)，所述電機(jī)的輸出軸與所述拋光頭組件固定連接。

作為本實(shí)用新型改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置的一種改進(jìn)，所述拋光盤(pán)上方設(shè)有一出料管，所述出料管與所述拋光盤(pán)同軸。