[實用新型]一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021001501.9
• 申請日: 2020-06-03
• 公開（公告）號: CN212553303U
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藍寶;李清彬;韓景瑞;周澤成;楊旭騰;邱樹杰;馮禹
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B47/14;B24B57/02;B24B47/12
• 代理公司: 廣東莞信律師事務(wù)所 44332
• 代理人: 謝樹宏

1.一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，包括機架和可轉(zhuǎn)動設(shè)置于所述機架上的拋光盤，所述拋光盤上固定有一拋光墊，其特征在于，所述拋光墊邊緣處至少設(shè)有一可轉(zhuǎn)動并可下壓的拋光頭組件，所述拋光頭組件底部設(shè)有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部設(shè)有用于吸附所述晶片的吸氣通道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述收容槽深度小于所述晶片深度，所述晶片的吸附面上貼附有保護膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述拋光頭組件包括陶瓷盤和拋光固定頭，所述拋光固定頭疊加固定于所述陶瓷盤上表面，所述收容槽位于所述陶瓷盤底部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述拋光固定頭通過一修整環(huán)與所述陶瓷盤固定連接，所述修整環(huán)套設(shè)于所述陶瓷盤和拋光固定頭外。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述拋光固定頭上穿設(shè)有多個上吸氣孔，所述陶瓷盤上穿設(shè)有多個下吸氣孔，所述上吸氣孔與所述下吸氣孔之間通過設(shè)置于所述拋光固定頭底部的連接腔連通，形成所述吸氣通道，所述吸氣通道與所述收容槽連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述上吸氣孔上設(shè)有吸氣管，多個所述吸氣管通過同一管道與真空泵連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述拋光頭組件由固定于所述機架上的氣缸驅(qū)動上下移動，所述氣缸位于所述拋光頭組件上方并通過一框型的支架與所述拋光頭組件固定連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述支架上固定設(shè)有一供所述氣缸的氣缸軸穿過的軸承座，所述支架相對所述氣缸軸轉(zhuǎn)動。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述氣缸軸穿過所述支架且其末端固定有一電機，所述電機的輸出軸與所述拋光頭組件固定連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，其特征在于，所述拋光盤上方設(shè)有一出料管，所述出料管與所述拋光盤同軸。