[實用新型]一種可提高載流能力的芯片封裝結構

有效

• 申請號: 202020985293.4
• 申請日: 2020-06-02
• 公開（公告）號: CN212113704U
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 何錦文;唐和明;官名浩
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

本實用新型公開一種可提高載流能力的芯片封裝結構，該芯片封裝結構包括：引線框架，其包括基島；芯片，其具有源極；所述芯片焊接于所述基島；第一金屬橋，其兩端分別具有第一焊接部和第一引出部，所述第一焊接部通過導電焊材層焊接于所述源極，所述第一引出部用于與外部的電路載體電連接。本實用新型的可提高載流能力的芯片封裝結構，通過第一金屬橋將電流由芯片源極引出至芯片封裝結構外，所述第一金屬橋能夠提供面積更大的可焊區域，從而能夠提高芯片封裝結構的載流能力。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種可提高載流能力的芯片封裝結構。

背景技術

功率半導體器件的發展方向是能承載更大電流，如此，要求芯片封裝結構也需要具有高載流能力。特別是在市場上廣泛應用的第三代半導體，由于第三代半導體器件SiC芯片本身可以承受比目前硅基芯片更大電流，所以相應的封裝設計結構也需要滿足大電流需求。

芯片源極是輸出大電流的端口，目前市面上多采用金屬線作為連接芯片源極和源極引出腳的電連接件；現有技術中的芯片封裝結構，如圖1所示，一般包括引線框架10和芯片20，芯片20的背面通過結合材料焊接于引線框架10的基島11，芯片20正面的源極21通過源極連接金屬線51與引線框架10的源極管腳電連接，芯片20正面的柵極22通過柵極連接金屬線52與引線框架10的柵極管腳12電連接，為了提高芯片封裝結構的載流能力，增加了源極連接金屬線51的數量，并增大了源極連接金屬線51的線徑，但是，這種芯片封裝結構的載流能力仍然有限，無法滿足更高的載流需求。

實用新型內容

本實用新型實施例的一個目的在于：提供一種可提高載流能力的芯片封裝結構，其通過第一金屬橋將電流由芯片源極引出至芯片封裝結構外。

本實用新型實施例的另一個目的在于：提供一種可提高載流能力的芯片封裝結構，其能夠提高芯片封裝結構的載流能力。

為達上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種可提高載流能力的芯片封裝結構，包括：

引線框架，其包括基島；

芯片，其具有源極；所述芯片焊接于所述基島；

第一金屬橋，其兩端分別具有第一焊接部和第一引出部，所述第一焊接部通過導電焊材層焊接于所述源極，所述第一引出部用于與外部的電路載體電連接。

作為優選，所述芯片的背面與所述基島焊接，所述芯片的正面設置有所述源極以及柵極，所述芯片封裝結構還包括柵極引出端，所述柵極與所述柵極引出端電連接。

作為優選，所述柵極引出端為設置在所述引線框架上的柵極管腳，所述柵極通過柵極連接金屬線與所述柵極管腳電連接。

作為優選，所述柵極引出端為第二金屬橋，所述第二金屬橋的兩端分別為第二焊接部和第二引出部，所述第二焊接部通過導電焊接材層焊接于所述柵極，所述第二引出部用于與外部的電路載體電連接。

作為優選，所述第一金屬橋為銅橋或石墨烯復合銅橋，所述第二金屬橋為銅橋或石墨烯復合銅橋。

作為優選，所述第一引出部的寬度與所述第二引出部的寬度相同。

作為優選，所述第一金屬橋遠離所述第一焊接部的一端為第一引出端，所述第一引出出端包括兩個第一引出部，相鄰兩個第一引出部之間具有分叉間隔；所述第一引出部的寬度小于所述第一焊接部的寬度。

作為優選，所述第一金屬橋的一端為第一焊接端，另一端為第一引出端；所述第一焊接端的寬度大于所述第一引出端的寬度，所述第一引出端包括一個所述第一引出部。

作為優選，所述第一焊接部的面積占所述源極的面積的40％至95％。