[實用新型]一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構

有效

• 申請號: 202020929111.1
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN212163817U
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 肖勇超;吳均
• 申請（專利權）人: 深圳市一博科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙) 44276
• 代理人: 田志遠;袁浩華

本實用新型涉及一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，包括若干個T拓撲分支走線，相鄰兩個所述T拓撲分支走線通過顆粒分支走線連接，其特征在于，所述T拓撲分支走線包括表層分支走線和底層分支走線，所述表層分支走線與所述底層分支走線通過T拓撲過孔對接，所述T拓撲過孔均位于DDR顆粒的優化區域內,且所述T拓撲分支走線的阻抗大于所述顆粒分支走線的阻抗。本實用新型通過優化T拓撲過孔和提高T拓撲分支走線的阻抗，實現了在不增加其他器件前提下，優化了信號質量；進一步的，T拓撲分支走線線寬變細，提高了PCB板的空間利用率。

技術領域

本實用新型涉及電路板領域，具體的說，是涉及一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構。

背景技術

印制電路板又稱PCB板，是電子產品的物理支撐以及信號傳輸的重要組成部分，PCB板中的走線用于連接不同芯片的引腳，在應用比較廣泛的DDR（Double Data Rate）顆粒中，由于PCB板的空間限制，在PCB板上有多個顆粒負載時，我們常會將DDR顆粒表底對貼來節省寶貴的空間。常見的有兩種不同的拓撲連接結構，即菊花鏈拓撲結構和等臂分支組合菊花鏈拓撲結構，其中等臂分支也稱為T拓撲分支。

比如常見的在PCB板上設計一拖九（即一個主芯片帶九個DDR顆粒）拓撲結構中，如圖2所示，常使用T拓撲組合菊花鏈拓撲結構進行走線，而且為了提高信號質量，還會使用一個電阻進行端接，電路連接示意圖如圖1所示，包括主干走線L1，顆粒分支走線L2和L3，T拓撲分支走線L4和L5以及端接走線L6，一般T拓撲分支走線的阻抗值等于顆粒分支走線的阻抗值，均為50Ω，T拓撲分支走線的線寬為4mil。

在上述的傳統T拓撲鏈路設計中，由于受到控制器的驅動不同，以及設計和加工等因素的影響，有時鏈路中信號質量裕量不足，那么如何在不增加其他器件前提下，優化該T拓撲鏈路的信號質量，成為業界急需解決的問題。

以上問題，值得解決。

發明內容

為了克服現有的技術的不足，本實用新型提供一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構。

本實用新型技術方案如下所述：

一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，包括若干個T拓撲分支走線，相鄰兩個所述T拓撲分支走線通過顆粒分支走線連接，其特征在于，所述T拓撲分支走線包括表層分支走線和底層分支走線，所述表層分支走線與所述底層分支走線通過T拓撲過孔對接，所述T拓撲過孔均位于DDR顆粒的優化區域內,且所述T拓撲分支走線的阻抗大于所述顆粒分支走線的阻抗。

根據上述方案的本實用新型，其特征在于，所述顆粒分支走線的阻抗為50Ω，所述T拓撲分支走線的阻抗為55Ω。

根據上述方案的本實用新型，其特征在于，所述T拓撲分支走線的線寬為3.5mil。

根據上述方案的本實用新型，其特征在于，第一個所述T拓撲分支走線通過主干走線連接主芯片。

進一步的，所述主干走線的阻抗為40Ω。

進一步的，末端所述顆粒分支走線連接端接電阻和端接電壓，所述端接電阻為39Ω，所述端接電壓為DDR顆粒供電電壓的二分之一。

優選的，所述端接電壓為0.6V。

根據上述方案的本實用新型，其特征在于，所述T拓撲過孔的孔徑為8mil，所述T拓撲過孔的焊盤直徑為16mil。

根據上述方案的本實用新型，其有益效果在于：

本實用新型通過優化T拓撲過孔和提高T拓撲分支走線的阻抗，解決了信號裕量不足的問題，實現了在不增加其他器件前提下，優化了信號質量；進一步的，T拓撲分支走線線寬變細，提高了PCB板的空間利用率。

附圖說明