[實用新型]一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構有效
| 申請號： | 202020929111.1 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN212163817U | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 肖勇超;吳均 | 申請（專利權）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志遠;袁浩華 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區科*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 優化 拓撲 ddr 模塊 信號 質量 pcb 結構 | ||
1.一種優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，包括若干個T拓撲分支走線，相鄰兩個所述T拓撲分支走線通過顆粒分支走線連接，其特征在于，所述T拓撲分支走線包括表層分支走線和底層分支走線，所述表層分支走線與所述底層分支走線通過T拓撲過孔對接，所述T拓撲過孔均位于DDR顆粒的優化區域內,且所述T拓撲分支走線的阻抗大于所述顆粒分支走線的阻抗。
2.根據權利要求1所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述顆粒分支走線的阻抗為50Ω，所述T拓撲分支走線的阻抗為55Ω。
3.根據權利要求1所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述T拓撲分支走線的線寬為3.5mil。
4.根據權利要求1所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述T拓撲過孔的孔徑為8mil，所述T拓撲過孔的焊盤直徑為16mil。
5.根據權利要求1所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，第一個所述T拓撲分支走線通過主干走線連接主芯片。
6.根據權利要求5所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述主干走線的阻抗為40Ω。
7.根據權利要求1所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，末端所述顆粒分支走線連接端接電阻和端接電壓，所述端接電阻為39Ω，所述端接電壓為DDR顆粒供電電壓的二分之一。
8.根據權利要求7所述的優化T拓撲DDR模塊信號質量的PCB結構，其特征在于，所述端接電壓為0.6V。
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