[實(shí)用新型]一種背硅刻蝕型剪切波濾波器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020921635.6
• 申請(qǐng)日: 2020-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN213125989U
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國(guó)強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州市艾佛光通科技有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/64
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 畢曉萌

本實(shí)用新型公開了一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，該濾波器包括：硅襯底、壓電材料層以及頂部電極，所述頂部電極采用石墨烯制成；所述壓電材料層覆蓋在所述硅襯底上，所述硅襯底設(shè)有多個(gè)凹槽以使所述壓電材料層位于所述凹槽處的下表面能夠與空氣接觸，所述頂部電極設(shè)置在所述壓電材料層的上表面。該背硅刻蝕型剪切波濾波器采用石墨烯作為頂部電極，可以極大地減小濾波器的電學(xué)損耗以及插入損耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及薄膜體聲波濾波器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種背硅刻蝕型剪切波濾波器。

背景技術(shù)

薄膜體聲波濾波器可以將外加電場(chǎng)轉(zhuǎn)換為聲場(chǎng)，因此與介質(zhì)濾波器相比，薄膜體聲波濾波器具有更小的體積。目前常用的壓電材料主要有AlN、ZnO、LiNiO₃、LiTaO₃等。由于AlN中的聲波傳播速率較大，而且制備方法較為簡(jiǎn)單，因此目前AlN薄膜體聲波濾波器已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于手機(jī)射頻器件。但是，目前薄膜體聲波濾波器通常使用金屬材料做為電極，如金屬鉬、鋁等，導(dǎo)致現(xiàn)有的薄膜體聲波濾波器的電學(xué)損耗較高。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的之一在于提供一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，其采用石墨烯作為頂部電極，可以極大地減小濾波器的電學(xué)損耗以及插入損耗。

本實(shí)用新型的目的之一采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，包括：硅襯底、壓電材料層以及頂部電極，所述頂部電極采用石墨烯制成；所述壓電材料層覆蓋在所述硅襯底上，所述硅襯底設(shè)有多個(gè)凹槽以使所述壓電材料層位于所述凹槽處的下表面能夠與空氣接觸，所述頂部電極設(shè)置在所述壓電材料層的上表面。

進(jìn)一步地，所述頂部電極為正負(fù)電極交替排列的叉指電極。

進(jìn)一步地，所述頂部電極的石墨烯層數(shù)為1至100層。

進(jìn)一步地，所述頂部電極的相鄰叉指的間距為100nm至5μm；所述頂部電極的叉指的寬度為500nm至3μm，所述頂部電極的叉指的長(zhǎng)度為48μm至300μm。

進(jìn)一步地，所述壓電材料層的厚度為100nm至5μm。

進(jìn)一步地，所述壓電材料層采用ZnO、PZT、AlN或鈮酸鋰制成。

進(jìn)一步地，所述頂部電極表面沉積有氮化鋁材料。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果在于：

該背硅刻蝕型剪切波濾波器采用石墨烯作為頂部電極，可以極大地減小濾波器的電學(xué)損耗，進(jìn)而提高濾波器的品質(zhì)因數(shù)，降低濾波器的插入損耗。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型提供的一種背硅刻蝕型剪切波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：10、硅襯底；20、壓電材料層；30、頂部電極；40、凹槽。

具體實(shí)施方式

下面，結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述，需要說(shuō)明的是，在不相沖突的前提下，以下描述的各實(shí)施例之間或各技術(shù)特征之間可以任意組合形成新的實(shí)施例。

請(qǐng)參閱圖1，一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，包括：硅襯底10、壓電材料層20以及頂部電極30，所述頂部電極30采用石墨烯制成；所述壓電材料層20覆蓋在所述硅襯底10上，所述硅襯底10設(shè)有多個(gè)凹槽40以使所述壓電材料層20位于所述凹槽40處的下表面能夠與空氣接觸，所述頂部電極30設(shè)置在所述壓電材料層20的上表面；所述硅襯底10為單面拋光高阻硅晶圓。