[實用新型]一種背硅刻蝕型剪切波濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020921635.6 | 申請日： | 2020-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN213125989U | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 廣州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 畢曉萌 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 剪切 濾波器 | ||
【權利要求書】：
1.一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，包括：硅襯底、壓電材料層以及頂部電極，所述頂部電極采用石墨烯制成；所述壓電材料層覆蓋在所述硅襯底上，所述硅襯底設有多個凹槽，多個空氣隙共用壓電材料層，以使所述壓電材料層位于所述凹槽處的下表面能夠與空氣接觸，所述頂部電極設置在所述壓電材料層的上表面。
2.如權利要求1所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述頂部電極為正負電極交替排列的叉指電極。
3.如權利要求2所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述頂部電極的石墨烯層數(shù)為1至100層。
4.如權利要求2所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述頂部電極的相鄰叉指的間距為100nm至5μm；所述頂部電極的叉指的寬度為500nm至3μm，所述頂部電極的叉指的長度為48μm至300μm。
5.如權利要求1所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述壓電材料層的厚度為100nm至5μm。
6.如權利要求5所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述壓電材料層采用ZnO、PZT、AlN或鈮酸鋰制成。
7.如權利要求1所述的背硅刻蝕型剪切波濾波器，其特征在于，所述頂部電極表面沉積有氮化鋁材料。
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