[實用新型]均勻布氣的布氣裝置及真空磁控濺射鍍膜設備

有效

• 申請號: 202020917222.0
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN213037834U
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 李建華;徐從高;李自全;高文波
• 申請（專利權）人: 洛陽生波爾真空裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 石仁;何金芳

本實用新型公開了均勻布氣的布氣裝置及真空磁控濺射鍍膜設備，包括磁控濺射靶和與所述磁控濺射靶配備布置的均勻布氣的布氣裝置，所述均勻布氣的布氣裝置包括中空的裝置本體，所述裝置本體上設有用于排出工藝氣體的出氣孔，所述出氣孔上可分離地連接有用于封堵所述出氣孔的調節件，所述調節件上設有與所述裝置本體內部連通的調節通孔。通過設置在所述出氣孔內的所述調節件和設置在所述調節件上的調節通孔，減緩工藝氣體的排放速度，使工藝氣體分子在所述裝置本體內發生多次碰撞后比較均勻地分布在所述裝置本體內再通過所述調節通孔排放到真空鍍膜區，使排放到真空鍍膜區的工藝氣體分子也呈均勻分布，進而提高鍍膜的質量。

【技術領域】

本申請涉及真空磁控濺射鍍膜技術領域，尤其涉及均勻布氣的布氣裝置及真空磁控濺射鍍膜設備。

【背景技術】

在磁控濺射鍍膜工藝中，無論是對于平面靶、移動靶還是旋轉靶，都需要利用布氣管進行布氣，如何在靶的工作區域均勻分布這些氣體，是能否使得所鍍膜層均勻的關鍵因素?，F有的布氣管出氣孔的孔徑較大，孔深較淺，工藝氣體分子進入布氣管后，工藝氣體分子未能在布氣管內多次碰撞，以至未在布氣管內均勻分布就排出進入真空鍍膜區，導致進入真空鍍膜區內的工藝氣體分子分布不均，影響鍍膜質量。

【實用新型內容】

本實用新型針對現有的布氣管內的工藝氣體未在布氣管內均勻分布就排出進入真空鍍膜區，導致進入真空鍍膜區內的工藝氣體分子分布不均的問題，提供均勻布氣的布氣裝置，包括中空的裝置本體，所述裝置本體上設有用于排出工藝氣體的出氣孔，所述出氣孔上可分離地連接有用于封堵所述出氣孔的調節件，所述調節件上設有與所述裝置本體內部連通的調節通孔。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述出氣孔上設有內螺紋，所述調節件上設有與所述內螺紋螺紋配合的外螺紋。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述調節件包括設置在所述出氣孔內的螺桿，所述螺桿上連接有卡接在所述裝置本體外側的螺帽，所述調節通孔貫穿所述螺桿和所述螺帽設置。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述調節通孔沿所述調節件的軸線方向延伸。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述調節通孔的孔徑為0.2mm～0.8mm。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述裝置本體包括設于最內側的主進氣管和設置在所述主進氣管上并與所述主進氣管連通的副進氣管組，所述主進氣管上設有主進氣孔。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述副進氣管組包括多個依次層疊連接且相互連通的子進氣管，所述子進氣管上設有所述出氣孔和與所述出氣孔相對且交錯的子進氣孔，在兩相鄰的所述子進氣管中，一所述子進氣管上的所述子進氣孔與另一所述子進氣管上的所述出氣孔數量匹配且連通，最外側的所述子進氣管上的所述出氣孔設有所述調節件。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述子進氣管上的所述出氣孔的數量多于所述子進氣孔的數量。

作為上述均勻布氣的布氣裝置的一種改進，所述裝置本體上設有多個沿所述裝置本體長度方向間隔分布的所述出氣孔。

本實用新型針對現有的布氣管內的工藝氣體未在布氣管內均勻分布就排出進入真空鍍膜區，導致進入真空鍍膜區內的工藝氣體分子分布不均的問題，提供一種真空磁控濺射鍍膜設備，包括磁控濺射靶，和與所述磁控濺射靶配備布置的上述均勻布氣的布氣裝置。

與現有技術相比，本實用新型具有如下優點：

本實用新型通過設置在所述出氣孔內的所述調節件和設置在所述調節件上的調節通孔，減緩工藝氣體的排放速度，使工藝氣體分子在所述裝置本體內發生多次碰撞后比較均勻地分布在所述裝置本體內再通過所述調節通孔排放到真空鍍膜區，使排放到真空鍍膜區的工藝氣體分子也呈均勻分布，進而提高鍍膜的質量。

【附圖說明】