[實(shí)用新型]一種防腐蝕的單晶硅片

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020868205.2
• 申請(qǐng)日: 2020-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN212085016U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張弓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 新沂市棋盤(pán)工業(yè)集中區(qū)建設(shè)發(fā)展有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/0352;C30B29/06
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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種防腐蝕的單晶硅片，包括單晶硅片本體，所述單晶硅片本體的外表面設(shè)置有材料基層，所述材料基層包括石英石材料層，所述石英石材料層遠(yuǎn)離材料基層的一側(cè)設(shè)置有金剛石基層，所述材料基層遠(yuǎn)離單晶硅片本體的一側(cè)設(shè)置有加強(qiáng)層，所述加強(qiáng)層遠(yuǎn)離材料基層的一側(cè)設(shè)置有制絨層，所述制絨層遠(yuǎn)離加強(qiáng)層的一側(cè)設(shè)置有防腐層，所述防腐層包括二氧化硅層，所述二氧化硅層遠(yuǎn)離防腐層的一側(cè)設(shè)置有單晶硅薄膜層。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置單晶硅片本體、材料基層、加強(qiáng)層、制絨層和防腐層的相互配合，達(dá)到了防腐蝕性能好的優(yōu)點(diǎn)，不會(huì)影響單晶硅片的使用效果，可以滿(mǎn)足使用者的需求，延長(zhǎng)了單晶硅片的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及單晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種防腐蝕的單晶硅片。

背景技術(shù)

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿，其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等，由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。

目前現(xiàn)有的單晶硅片，防腐蝕性能差，會(huì)影響單晶硅片的使用效果，無(wú)法滿(mǎn)足使用者的需求，縮短了單晶硅片的使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種防腐蝕的單晶硅片，具備防腐蝕性能好的優(yōu)點(diǎn)，解決了現(xiàn)有的單晶硅片防腐蝕性能差的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種防腐蝕的單晶硅片，包括單晶硅片本體，所述單晶硅片本體的外表面設(shè)置有材料基層，所述材料基層遠(yuǎn)離單晶硅片本體的一側(cè)設(shè)置有加強(qiáng)層，所述加強(qiáng)層遠(yuǎn)離材料基層的一側(cè)設(shè)置有制絨層，所述制絨層遠(yuǎn)離加強(qiáng)層的一側(cè)設(shè)置有防腐層，所述防腐層包括二氧化硅層，所述二氧化硅層遠(yuǎn)離防腐層的一側(cè)設(shè)置有單晶硅薄膜層。

優(yōu)選的，所述材料基層包括石英石材料層，所述石英石材料層遠(yuǎn)離材料基層的一側(cè)設(shè)置有金剛石基層。

優(yōu)選的，所述加強(qiáng)層包括多晶硅層，所述多晶硅層遠(yuǎn)離加強(qiáng)層的一側(cè)設(shè)置有無(wú)定形硅層，所述多晶硅層的厚度與無(wú)定形硅層的厚度相同。

優(yōu)選的，所述單晶硅片本體的外表面與加強(qiáng)層的內(nèi)表面接觸，所述加強(qiáng)層的外表面與制絨層的內(nèi)表面接觸，所述制絨層的外表面與防腐層的內(nèi)表面接觸。

優(yōu)選的，所述加強(qiáng)層的厚度與制絨層的厚度相同，所述制絨層的厚度與防腐層的厚度相同。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：

1、本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置單晶硅片本體、材料基層、加強(qiáng)層、制絨層和防腐層的相互配合，達(dá)到了防腐蝕性能好的優(yōu)點(diǎn)，不會(huì)影響單晶硅片的使用效果，可以滿(mǎn)足使用者的需求，延長(zhǎng)了單晶硅片的使用壽命。

2、本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置材料基層，具有優(yōu)異的耐磨耗和抗疲勞性能，增加了單晶硅片本體的使用強(qiáng)度，通過(guò)設(shè)置加強(qiáng)層，具有耐紫外光老化性能，單晶硅片本體長(zhǎng)期暴置在高溫條件下仍能保持良好的力學(xué)性能，同時(shí)還具有良好的耐腐蝕性，增加了單晶硅片本體的耐腐蝕性和耐化學(xué)性，延長(zhǎng)了單晶硅片本體的使用壽命，通過(guò)設(shè)置防腐層，具有耐老化，抗輻射的作用，增加了單晶硅片本體的耐腐蝕和耐老化的性能等，增加了單晶硅片本體的使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型材料基層結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本實(shí)用新型加強(qiáng)層結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖4為本實(shí)用新型防腐層結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖中：1、單晶硅片本體；2、材料基層；21、石英石材料層；22、金剛石基層；3、加強(qiáng)層；31、多晶硅層；32、無(wú)定形硅層；4、制絨層；5、防腐層；51、二氧化硅層；52、單晶硅薄膜層。