[實用新型]一種防腐蝕的單晶硅片有效
| 申請號: | 202020868205.2 | 申請日: | 2020-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN212085016U | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 張弓 | 申請(專利權)人: | 新沂市棋盤工業集中區建設發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0352;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 221400 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 腐蝕 單晶硅 | ||
1.一種防腐蝕的單晶硅片,包括單晶硅片本體(1),其特征在于:所述單晶硅片本體(1)的外表面設置有材料基層(2),所述材料基層(2)遠離單晶硅片本體(1)的一側設置有加強層(3),所述加強層(3)遠離材料基層(2)的一側設置有制絨層(4),所述制絨層(4)遠離加強層(3)的一側設置有防腐層(5),所述防腐層(5)包括二氧化硅層(51),所述二氧化硅層(51)遠離防腐層(5)的一側設置有單晶硅薄膜層(52)。
2.根據權利要求1所述的一種防腐蝕的單晶硅片,其特征在于:所述材料基層(2)包括石英石材料層(21),所述石英石材料層(21)遠離材料基層(2)的一側設置有金剛石基層(22)。
3.根據權利要求1所述的一種防腐蝕的單晶硅片,其特征在于:所述加強層(3)包括多晶硅層(31),所述多晶硅層(31)遠離加強層(3)的一側設置有無定形硅層(32),所述多晶硅層(31)的厚度與無定形硅層(32)的厚度相同。
4.根據權利要求1所述的一種防腐蝕的單晶硅片,其特征在于:所述單晶硅片本體(1)的外表面與加強層(3)的內表面接觸,所述加強層(3)的外表面與制絨層(4)的內表面接觸,所述制絨層(4)的外表面與防腐層(5)的內表面接觸。
5.根據權利要求1所述的一種防腐蝕的單晶硅片,其特征在于:所述加強層(3)的厚度與制絨層(4)的厚度相同,所述制絨層(4)的厚度與防腐層(5)的厚度相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





