[實用新型]一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構有效
| 申請號： | 202020855979.1 | 申請日： | 2020-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN212033001U | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 胡孝偉;代文亮;郭玉馨 | 申請（專利權）人： | 上海芯波電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/055 | 分類號： | H01L23/055;H01L23/31;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海樂泓專利代理事務所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 混合 芯片 注塑 工藝 硅基板挖腔 結構 | ||
1.一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構，其特征在于：包括硅基板(110)，所述硅基板(110)一側設有向內凹陷的凹槽(112)和若干個均勻分布的BGA引腳(120)，所述凹槽(112)內設有FC芯片(114)，所述硅基板(110)遠離所述FC芯片(114)的一側貼裝有WB芯片(140)和SMT器件(150)，所述硅基板(110)內設有相貫通的通孔(111)，所述通孔(111)內填充有導電材料，所述WB芯片(140)和SMT器件(150)均通過通孔(111)與所述BGA引腳(120)導通，所述硅基板(110)上貼裝有WB芯片(140)和SMT器件(150)的一側覆蓋有注塑層(130)。
2.根據權利要求1所述的一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構，其特征在于：所述FC芯片(114)與所述凹槽(112)內壁之間填充有填充層(113)。
3.根據權利要求1所述的一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構，其特征在于：所述WB芯片(140)和SMT器件(150)與硅基板(110)之間填充有粘結層(141)。
4.根據權利要求1所述的一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構，其特征在于：所述WB芯片(140)的數量是設為一個或至少兩個，且WB芯片(140)與SMT器件(150)之間相互絕緣設置。
5.根據權利要求1所述的一種基于混合芯片與注塑工藝的硅基板挖腔結構，其特征在于：所述注塑層(130)的厚度為0.4mm-1.5mm，所述注塑層(130)采用的材料為環氧樹脂。
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