[實用新型]一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置

有效

• 申請號: 202020848492.0
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN212223093U
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 楊柳林
• 申請（專利權）人: 楊柳林
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置，真空腔體、收放卷系統、真空獲得系統以及磁控濺射區，在空腔體內設有呈圓弧形排布的靶極；靶極向待加工基材做功完成磁控濺射，靶極向待加工基材做功完成磁控濺射的區域是磁控濺射區；在真空腔體內設置收放卷系統，收放卷系統包括第一收放卷軸、第二收放卷軸、主動輥，調節輥包括導向輥、張力輥、展平輥，其中第一收放卷軸、第二收放卷軸位于真空腔體內趨向于真空腔體頂部的位置；在第一收放卷軸與主動輥之間以及在第二收放卷軸主動輥之間分別排布有一組調節輥，靶極與進入磁控濺射區的待加工基材的待加工面之間形成磁控濺射通道。本實用新型提高了鍍膜的密度以及基材成品的屏蔽導通強度。

技術領域

本實用新型涉及一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置。

背景技術

常用磁控濺射鍍膜機存在以下缺點：（一）鍍膜裝置由真空腔體、靶極車、收放卷系統三部分構成，設備體積大，且真空腔體內部件設計不合理，占用較大空間，設備成本高。（二）濺射區滾筒多采用小直徑輥，基材在輥與輥之間拉伸張開時易造成張力不均勻，使基材表面發生褶皺、凹凸不平，造成鍍膜厚度不均勻、質量差，產品良率低；且制程能力較弱，可鍍基材厚度較厚，一般基材厚度最薄只達7.5μm。（三）未能提高磁控濺射效率，其磁控濺射過程中，容易在基材體形成能量堆積，造成基材的變形甚至報廢，也無法提高產品鍍膜密度、厚度，性能低下，或者鍍膜質量差等問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于針對上述缺陷，提供了一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置，包括真空腔體、收放卷系統、真空獲得系統以及磁控濺射區，在空腔體內設有呈圓弧形排布的靶極；靶極向待加工基材做功完成磁控濺射，靶極向待加工基材做功完成磁控濺射的區域是磁控濺射區；所述磁控濺射區是由位于真空腔體內趨向于真空腔體底部的位置呈弧形向真空腔體頂部方向延伸；在真空腔體內設置收放卷系統，收放卷系統包括第一收放卷軸、第二收放卷軸、主動輥，調節輥包括導向輥、張力輥、展平輥，其中第一收放卷軸、第二收放卷軸位于真空腔體內趨向于真空腔體頂部的位置；在第一收放卷軸與主動輥之間以及在第二收放卷軸主動輥之間分別排布有一組調節輥，待加工靶材由第一收放卷軸放卷，經由一組調節輥到主動輥的下半圓表面，在經過磁控濺射區時靶極向待加工基材做功完成磁控濺射，再經由另一組調節輥到第二收放卷軸上，第二收放卷軸帶動待加工基材進行收卷；主動輥位于第一收放卷軸和第二收放卷軸的下方并同時位于靶極的上方，靶極對 主動輥呈現半包圍狀態；靶極與進入磁控濺射區的待加工基材的待加工面之間形成磁控濺射通道。

為了使磁控濺射區域更大，排布的靶極更多，主動輥選用大直徑主動輥，主動輥直徑大于第一收放卷軸、第二收放卷軸的直徑。

第一收放卷軸、第二收放卷軸、主動輥呈三角形狀排布。

第一收放卷軸、第二收放卷軸、主動輥呈等腰三角形狀排布。

所有靶極在真空腔體內與主動輥的距離等距。

每一組調節輥所包含的導向輥、張力輥、展平輥在真空腔體內交錯排布。

所述磁控濺射通道呈圓弧狀。

第一可收放卷軸中的基材通過其中一組調節輥的導向輥、張力輥、展平輥進入到主動輥與磁控濺射通道，完成磁控濺射道出并經由另一組調節輥的展平輥、張力輥、導向輥收卷于第二可收放卷軸。從反方向的工作過程類似。

由于在使用選用的主動輥的直徑較大，在真空腔體內占據真空腔體內的大部分的下半部段和少部分的上半部段。

兩組調節輥的位置位于靜止時的主動輥的上半部段的左右兩側。

有益效果