[實(shí)用新型]一種新型壓力傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020805562.4 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN212110410U | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃向向;楊敏;洛倫佐·貝爾蒂尼;萊昂納多·薩爾代利;盧卡·盧斯基;關(guān)健;梁澤山;孫斯佳;張曉磊;陳琳 | 申請(專利權(quán))人: | 罕王微電子(遼寧)有限公司 |
| 主分類號: | G01L1/18 | 分類號: | G01L1/18;G01L1/22 |
| 代理公司: | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 113000 遼寧省撫順*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 壓力傳感器 | ||
一種新型壓力傳感器,其特征在于:包括惠斯通主橋電阻R1,惠斯通主橋電阻R2,惠斯通主橋電阻R3,惠斯通主橋電阻R4,惠斯通次級橋電阻R1’,惠斯通次級橋電阻R2’,惠斯通次級橋電阻R3’,惠斯通次級橋電阻R4’,惠斯通主橋輸入電源,惠斯通次級橋輸入電源,惠斯通主橋輸出,惠斯通次級橋輸出,薄膜;惠斯通主橋上帶有惠斯通主橋輸入電源和斯通主橋輸出端;惠斯通次級橋電阻R1’,惠斯通次級橋電阻R2’,惠斯通次級橋電阻R4’和惠斯通次級橋電阻R3’順次串聯(lián)形成惠斯通次級橋,惠斯通次級橋上帶有惠斯通次級橋輸入電源和惠斯通次級橋輸出端。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):原理結(jié)構(gòu)簡單,精度高,有效實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償,市場前景廣泛。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及傳感器領(lǐng)域,特別涉及了一種新型壓力傳感器。
背景技術(shù)
目前由于溫度變化引發(fā)的熱應(yīng)力變化影響著壓力傳感器穩(wěn)定性。本專利將設(shè)計(jì)一種新型壓力傳感器,補(bǔ)償由于溫度變化和其他原因引起的應(yīng)力變化。
壓力傳感器或封裝工藝的環(huán)境溫度會引起的產(chǎn)品薄膜形變,這是我們不希望看到的應(yīng)力源。如果壓力傳感器檢測到由于溫度變化等不明原因引起應(yīng)力變化,而產(chǎn)生了錯(cuò)誤的壓力數(shù)值。所以一般情況下,需要對壓力傳感器進(jìn)行補(bǔ)償。常見的方法是在連接補(bǔ)償ASIC(集成電路),通過ASIC內(nèi)部溫度傳感器或者外部溫度傳感器的溫度信號在ASIC內(nèi)部進(jìn)行補(bǔ)償,補(bǔ)償能是模擬信號也能是數(shù)字信號。另一種解決方案是溫度傳感器集成在壓力傳感器芯片中,通過為此功能增加電阻特性來實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償偏移。這兩種方法都需要校準(zhǔn)補(bǔ)償?shù)臏囟认禂?shù),但是成本高,產(chǎn)量小。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是為了克服上述問題,特提供了一種新型壓力傳感器。
目前由于溫度變化引發(fā)的熱應(yīng)力變化影響著壓力傳感器穩(wěn)定性,設(shè)計(jì)一種新型壓力傳感器,補(bǔ)償由于溫度變化和其他原因引起的應(yīng)力變化。
本實(shí)用新型提供了一種新型壓力傳感器,其特征在于:所述的新型壓力傳感器,包括惠斯通主橋電阻R1,惠斯通主橋電阻R2,惠斯通主橋電阻R3,惠斯通主橋電阻R4,惠斯通次級橋電阻R1’,惠斯通次級橋電阻R2’,惠斯通次級橋電阻R3’,惠斯通次級橋電阻R4’,惠斯通主橋輸入電源,惠斯通次級橋輸入電源,惠斯通主橋輸出,惠斯通次級橋輸出,薄膜;
其中:惠斯通主橋電阻R1、惠斯通主橋電阻R2、惠斯通主橋電阻R4和惠斯通主橋電阻R3順次串聯(lián)形成惠斯通主橋,惠斯通主橋上帶有惠斯通主橋輸入電源和斯通主橋輸出端;惠斯通次級橋電阻R1’,惠斯通次級橋電阻R2’,惠斯通次級橋電阻R4’和惠斯通次級橋電阻R3’順次串聯(lián)形成惠斯通次級橋,惠斯通次級橋上帶有惠斯通次級橋輸入電源和惠斯通次級橋輸出端;薄膜設(shè)置在電阻上,用來感受外部壓力。
所述的各電阻為摻雜的硅或多晶硅材料件。
所述的薄膜為硅薄膜件。
使用帶有四個(gè)電阻的薄膜,連接在惠斯通電橋中。
主要用來感受外部壓力。電阻材料能為摻雜的硅、多晶硅。
采用壓阻式壓力傳感器溫度補(bǔ)償方法,基于次級惠斯通電橋的設(shè)計(jì),對由于溫度變化引起的機(jī)械應(yīng)力敏感,次級惠斯通電橋信號用來對壓阻壓力傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償;次級電信號來源于位于敏感薄膜上的次級惠斯通電橋,主惠斯通電橋?qū)τ谕饨鐟?yīng)力敏感,次級惠斯通電橋也能對外部壓力敏感,利用次級惠斯通電橋的信號能增強(qiáng)壓力傳感器靈敏度。
設(shè)計(jì)一個(gè)次級惠斯通電阻橋,次級惠斯通電阻橋?qū)嵴T導(dǎo)的應(yīng)力具有高靈敏度,同時(shí)對壓力不敏感。ASIC能使用次級橋的信號來消除主信號的雜散信號,次級橋直接測量的是薄膜應(yīng)力,而不是溫度。因此繞開了不確定性來源,如裝配/封裝封裝,使得補(bǔ)償偏移更有效。二級橋也能對壓力敏感,能通過設(shè)計(jì)使次橋信號具有與主橋信號相同的符號,而響應(yīng)于熱應(yīng)力,次橋信號具有與主橋信號相反的符號。通過這種方式,利用適當(dāng)?shù)男拚禂?shù),能組合兩個(gè)信號,使得對熱應(yīng)力的總靈敏度為零,而相對于主橋,對壓力的總靈敏度增加。
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