[實用新型]一種用于CVD設備的反應室渦輪結構

有效

• 申請號: 202020797191.X
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN212560430U
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 劉子優;肖蘊章;陳炳安;鐘國仿;張燦
• 申請（專利權）人: 深圳市納設智能裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

本實用新型公開了一種用于CVD設備的反應室渦輪結構，包括腔室，腔室內設置有旋轉支撐柱，旋轉支撐柱沿著軸向方向均勻設置有多個葉片，葉片上設置有凹槽，通過所述凹槽安裝有晶圓，旋轉支撐柱還設置有氣體分流板，氣體分流板設于所述葉片的下方；氣體分流板設置有多個分流孔，腔室的底部設置有連通尾氣系統的排氣孔；有益效果是：在腔室設置四排出氣孔，出氣方向與旋轉機構方向一致，可產生輔助的旋轉動力，出氣孔的氣體來源與噴淋板的反應氣體一致，同時使用氣體質量流量計來控制側壁出氣量，出氣孔輸出的反應氣體也作為補充氣體填補未能完全填充的區域，使整片晶圓接觸的反應氣體濃度更均勻飽和，工藝穩定性更好。

技術領域

本實用新型涉及機械結構技術領域，具體涉及一種用于CVD設備的反應室渦輪結構。

背景技術

當前半導體行業，化學氣相沉積(Chemical VaporDeposition，簡稱為CVD)，廣泛應用于各集成電路中，隨著要求越來越高，相關技術也越來越成熟。

初代半導體的性能的探索已經非常成熟，然而一些固有的缺點卻無法逾越，如光學性能、高壓高頻性能等。與此同時所謂第三代半導體(寬禁帶半導體)以其恰好彌補Si材料的不足而逐步受到半導體行業青睞，成為繼Si之后最有前景的半導體材料。

隨著5G、汽車等新市場出現，SiC/GaN不可替代的優勢使得相關產品的研發與應用加速；隨著制備技術的進步，SiC與GaN器件與模塊在成本上已經可以納入備選方案內，需求拉動疊加成本降低，SiC/GaN的時代即將到來。

目前，在碳化硅材料的制作工藝上，存在非常多的難點，均勻性和壓力控制制約著材料生長的良率及產能，當前市面上成熟的碳化硅材料工藝為單片生長，在當前的技術水平下無法進一步的提高良率，一次工藝的生長時間也相對較長，即使全自動化連續生產的設備也無法帶來明顯的產能提高，因此，一次工藝完成多片材料生長的結構是當前研究的主要方向。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種用于CVD設備的反應室渦輪結構，以解決上述背景技術中存在的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為：一種用于CVD設備的反應室渦輪結構，包括腔室，所述腔室內設置有旋轉支撐柱，所述旋轉支撐柱沿著軸向方向均勻設置有多個葉片，所述葉片上設置有凹槽，通過所述凹槽安裝有晶圓，所述旋轉支撐柱還設置有氣體分流板，所述氣體分流板設于所述葉片的下方；所述氣體分流板設置有多個分流孔，所述腔室的底部設置有連通尾氣系統的排氣孔。

作為本實用新型的優選方案，所述葉片設置有六個。

作為本實用新型的優選方案，所述氣體分流板以所述旋轉支撐柱為旋轉中心，周向均勻設置有多個分流孔。

作為本實用新型的優選方案，所述排氣孔設于多個所述分流孔形成的圓弧上。

作為本實用新型的優選方案，所述腔室還均勻開設有四組出氣口。

作為本實用新型的優選方案，每組所述出氣口設置有八個出氣孔。

作為本實用新型的優選方案，所述葉片的傾斜角度為45°-60°。

采用上述技術方案的有益效果是：本實用新型在腔室側壁上設計了四排出氣孔，出氣方向與旋轉機構方向一致，可產生輔助的旋轉動力，側壁上出氣孔的氣體來源與噴淋板的反應氣體一致，同時使用氣體質量流量計來控制側壁出氣量，同時側壁孔輸出的反應氣體也作為補充氣體來填補由頂部噴淋板進氣未能完全填充的區域，使整片晶圓接觸的反應氣體濃度更加均勻飽和，使工藝穩定性更加優越。

附圖說明

圖1為本實用新型的透視示意圖；

圖2為本實用新型的全剖結構示意圖；

圖3為本實用新型的立體圖。