[實(shí)用新型]一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020797191.X | 申請日: | 2020-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN212560430U | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉子優(yōu);肖蘊(yùn)章;陳炳安;鐘國仿;張燦 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市納設(shè)智能裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 鄭自群 |
| 地址: | 518107 廣東省深圳市光明區(qū)鳳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 cvd 設(shè)備 反應(yīng) 渦輪 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,包括腔室,所述腔室內(nèi)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)支撐柱,所述旋轉(zhuǎn)支撐柱沿著軸向方向均勻設(shè)置有多個葉片,所述葉片上設(shè)置有凹槽,通過所述凹槽安裝有晶圓,所述旋轉(zhuǎn)支撐柱還設(shè)置有氣體分流板,所述氣體分流板設(shè)于所述葉片的下方;所述氣體分流板設(shè)置有多個分流孔,所述腔室的底部設(shè)置有連通尾氣系統(tǒng)的排氣孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,所述葉片設(shè)置有六個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氣體分流板以所述旋轉(zhuǎn)支撐柱為旋轉(zhuǎn)中心,周向均勻設(shè)置有多個分流孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,所述排氣孔設(shè)于多個所述分流孔形成的圓弧上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,所述腔室還均勻開設(shè)有四組出氣口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,每組所述出氣口設(shè)置有八個出氣孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)室渦輪結(jié)構(gòu),其特征在于,所述葉片的傾斜角度為45°-60°。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
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