[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 202020776968.4
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN212277172U
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: A·薩拉菲亞諾斯;F·馬里內特;J·德拉勒奧
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;G01R31/28;G06F21/75
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

公開了集成電路，該集成電路包括半導體襯底。半導體襯底具有正面和背面。彼此間隔開的第一觸點和第二觸點位于正面上。導電晶片位于背面上。檢測電路被配置為檢測襯底從背面的變薄。檢測電路包括測量電路，該測量電路對所述至少一個第一觸點、所述至少一個第二觸點和所述導電晶片之間的襯底的電阻值進行測量。響應于所測量的電阻值檢測到變薄。

技術領域

實施例和實施方式涉及集成電路。

背景技術

集成電路，特別是那些設置有包含敏感信息的存儲器的集成電路，必須在最大可能的程度上保護其免受攻擊，特別是免受旨在揭露所存儲數據的攻擊。

在用于從集成電路的存儲器(例如芯片卡的受保護存儲器)提取機密數據的可能攻擊中，本領域已知執行稱為故障注入攻擊(或DFA，用于差分故障分析)的攻擊。這種攻擊旨在干擾存儲器的操作和/或內容，或修改電路的邏輯操作，例如借助通過芯片的背面傳輸的輻射(激光、紅外線、X射線等輻射)。

例如，這種攻擊可以使用聚焦離子束(FIB)在納米尺度上加工或沉積材料，借助于聚焦離子束探針進行。

當攻擊者將集成電路的襯底從其背面變薄，以便盡可能接近形成在其正面的集成電路的組件時，這種攻擊的有效性增加。

以這種方式變薄的初步步驟可以包括例如從背面進行機械或化學機械拋光的操作。

因此，尋求保護集成電路免受來自襯底背面的攻擊是特別有用的。

在美國專利申請公開第2019/0244915號(法國專利申請第1851011號)中已經提出了一種解決方案，通過引用并入其中。

該解決方案特別設想測量襯底的垂直電阻。

雖然這樣的解決方案總體上令人滿意，但在某些情況下可能證明不那么有效。具體地，檢測襯底變薄的操作可以被溫度或電源電壓的變化或者由于制造工藝的變化而導致的從一個集成電路到下一個集成電路的部件的特性的變化所中斷。

然后有時可能會導致的是未被檢測到的襯底變薄，特別是在輕微變薄的情況下。

特別地，需要能夠直接且有效地檢測襯底從背面的變薄，即使這種變薄是輕微的。

實用新型內容

需要尋求一種解決方案，以保護集成電路免受來自襯底背面的攻擊。

在實施例中，提出了一種集成電路，該集成電路包括具有正面和背面的半導體襯底，而且包括彼此間隔開并位于正面上的至少一個第一觸點、至少一個第二觸點以及位于背面上的導電晶片。

該導電晶片可以是在未企圖破壞集成電路的完整性，特別是未使襯底變薄的情況下，在集成電路的制造過程中最初附接到襯底的背面的晶片。

然而，為了使襯底變薄，攻擊者通常將整體地移除初始晶片或局部地移除其一部分，以便使襯底從暴露部分或襯底的整個背面變薄。

導電晶片可以是具有部分已經被移除的初始晶片、已經移除然后在襯底已經變薄之后由攻擊者重新添加的初始晶片、或者在襯底已經變薄之后由攻擊者添加的另一導電晶片。

考慮第一觸點和晶片之間的襯底的垂直電阻和兩個觸點之間的襯底的橫向電阻兩者。

這允許更高的測量靈敏度，并且允許相對于僅測量襯底的垂直電阻更容易地檢測襯底的輕微變薄。

術語“觸點”被理解為表示例如在集成電路的實施例中常規存在的襯底觸點，例如用于偏置襯底。

這些觸點可以通過注入過摻雜區域來產生。

進一步優選的是，所述至少一個第一觸點和所述至少一個第二觸點之間的空間至少等于變薄前襯底的厚度的一半，例如大約相同的厚度。