[實用新型]集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020776968.4 | 申請日： | 2020-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN212277172U | 公開（公告）日： | 2021-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·薩拉菲亞諾斯;F·馬里內(nèi)特;J·德拉勒奧 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;G01R31/28;G06F21/75 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 | ||
1.一種集成電路，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，具有正面和背面；
第一觸點和第二觸點，其中所述第一觸點和所述第二觸點彼此間隔開并且位于所述正面上；
導(dǎo)電晶片，位于所述背面上；以及
第一檢測電路，所述第一檢測電路被配置為檢測所述半導(dǎo)體襯底從所述背面的變薄，所述第一檢測電路包括：
第一測量電路，所述第一測量電路被配置為對所述第一觸點、所述第二觸點和所述導(dǎo)電晶片之間的所述半導(dǎo)體襯底的電阻值進行第一測量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一測量電路被配置為在所述第一觸點和所述導(dǎo)電晶片之間施加電壓差，并且在所述第二觸點處測量從所述電壓差得到的電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一觸點和所述第二觸點之間的間隔至少等于變薄前所述半導(dǎo)體襯底的厚度的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一觸點包括由分布在所述正面上的多個第一觸點形成的第一觸點組，其中所述第二觸點包括由分布在所述正面上的多個第二觸點形成的第二觸點組，并且其中所述第一測量電路被配置為在所述第一觸點組、所述第二觸點組和所述導(dǎo)電晶片之間進行所述第一測量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括第二檢測電路，所述第二檢測電路被配置為在檢測所述半導(dǎo)體襯底的變薄的操作之前，檢測所述導(dǎo)電晶片的至少一部分的移除。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述第二檢測電路包括第二測量電路，所述第二測量電路被配置為對所述第一觸點和所述導(dǎo)電晶片之間的所述半導(dǎo)體襯底的電阻值進行第二測量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第二測量電路被配置為在所述第一觸點和所述導(dǎo)電晶片之間施加電壓差，并且在所述第一觸點處測量從該電壓差得到的電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第一觸點包括由分布在所述正面上的多個第一觸點形成的第一觸點組，并且其中所述第二測量電路被配置為在所述第一觸點組和所述導(dǎo)電晶片之間進行所述第二測量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路是電子設(shè)備的部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述電子設(shè)備是芯片卡。
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