[實用新型]一種倒裝發光二極管芯片

有效

• 申請號: 202020775640.0
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN212365983U
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 吳珊;趙進超;李超;李東昇
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馮麗欣

本實用新型實施例公開了一種倒裝發光二極管芯片，包括：襯底層，位于所述倒裝發光二極管芯片的底部；半導體層，位于所述襯底層的上方；擴展電極，位于所述半導體層的上方，并與所述半導體層電連接；以及反射絕緣層，位于所述擴展電極的上方，其中，所述擴展電極包括擴展電極彎折區。本實用新型實施例提供的倒裝發光二極管芯片，有效避免了封裝時頂針對擴展電極造成破壞，提高了倒裝發光二極管芯片的封裝可靠性。

技術領域

本實用新型涉及半導體光電芯片制造技術領域，特別涉及一種倒裝發光二極管芯片。

背景技術

自從20世紀90年代初商業化以來，經過二十幾年的發展，LED已被廣泛應用于戶內外顯示屏、投影顯示用照明光源、背光源、景觀亮化照明、廣告、交通指示等領域，并被譽為二十一世紀最有競爭力的新一代固體光源。

作為一種固態發光體，發光二極管具有高光效、壽命長、低能耗等優點。圖1示出了根據現有技術的正裝芯片封裝后的截面示意圖。如圖1所示，正裝芯片例如為GaN發光二極管。該正裝芯片包括自下而上依次堆疊的襯底層2、第一半導體層3、第一焊盤4、第二半導體層5以及第二焊盤6。基板電極7位于封裝基板1之上，并與封裝基板1相連接。封裝時，將正裝芯片安裝在封裝基板1上，第一焊盤4和第二焊盤6分別通過焊線71與基板電極7相連接。發光二極管通常選用絕緣體藍寶石作為襯底。為了實現電氣互連，第一焊盤4和第二焊盤6位于芯片上表面。現有的正裝結構存在芯片的外量子效率低、散熱效果差、產品可靠性低等問題。為了解決以上問題，開發出了如圖2所示的倒裝結構的發光二極管，即封裝時將芯片物理翻轉，第一焊盤4和第二焊盤6直接與基板電極7接觸實現電連接。

在現有技術中，由于藍寶石襯底硬度較高，為了便于切割，通常沿藍寶石的晶向切割，這樣就導致芯片長邊的切割面不垂直于藍寶石的底面。倒裝發光二極管芯片在翻轉固晶時，傳感器識別藍寶石面的中心，由于斜裂面的影響，芯片電極面(第一焊盤和第二焊盤所在的面)中心與藍寶石面中心具有一定的距離，這個偏差距離將導致固晶頂針頂到芯片電極面的擴展電極上，造成擴展電極表面保護層脫落或擴展電極中斷，影響封裝可靠性。上述問題亟待解決。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型的目的在于提供一種倒裝發光二極管芯片，可以有效避免封裝時頂針對擴展電極造成破壞，提高倒裝發光二極管芯片的封裝可靠性。

根據本實用新型的一方面，提供一種倒裝發光二極管芯片，包括：襯底層，位于所述倒裝發光二極管芯片的底部；半導體層，位于所述襯底層的上方；電流擴展層，位于所述半導體層的上方；擴展電極，位于所述半導體層的上方，并與所述半導體層電連接；以及反射絕緣層，位于所述擴展電極的上方，其中，所述擴展電極包括擴展電極彎折區。

優選地，所述擴展電極彎折區的形狀包括圓弧、橢圓弧、折線形中的至少一種。

優選地，所述擴展電極彎折區的形狀為圓弧，所述圓弧的半徑包括30微米至100微米。

優選地，所述半導體層包括：第一半導體層，位于所述襯底層的上方；所述第一半導體層為N型半導體；以及第二半導體層，位于所述第一半導體層的上方；所述第二半導體層為P型半導體，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層中間設置有發光層。

優選地，所述倒裝發光二極管芯片還包括：第一焊盤，位于所述第一半導體層上，并與所述第一半導體層電連接；第二焊盤，位于所述電流擴展層上，并與所述第二半導體層電連接；所述反射絕緣層位于所述第一焊盤和所述第二焊盤上，并覆蓋所述半導體層；第三焊盤，位于所述反射絕緣層的上方；以及第四焊盤，位于所述反射絕緣層的上方，其中，在所述反射絕緣層上與所述第一焊盤和所述第二焊盤相對應的位置上分別設置有通孔；所述第一焊盤和所述第三焊盤通過所述通孔電連接，所述第二焊盤和所述第四焊盤通過所述通孔電連接；所述第三焊盤和所述第四焊盤在所述倒裝發光二極管芯片固晶時，分別與封裝基板的基板電極電連接。

優選地，所述通孔的直徑包括12微米至20微米。