[實(shí)用新型]一種倒裝發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020775640.0
• 申請(qǐng)日: 2020-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN212365983U
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳珊;趙進(jìn)超;李超;李東昇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馮麗欣

1.一種倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：

襯底層，位于所述倒裝發(fā)光二極管芯片的底部；

半導(dǎo)體層，位于所述襯底層的上方；

電流擴(kuò)展層，位于所述半導(dǎo)體層的上方；

擴(kuò)展電極，位于所述半導(dǎo)體層的上方，并與所述半導(dǎo)體層電連接；以及

反射絕緣層，位于所述擴(kuò)展電極的上方，

其中，所述擴(kuò)展電極包括擴(kuò)展電極彎折區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述擴(kuò)展電極彎折區(qū)的形狀包括圓弧、橢圓弧、折線形中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述擴(kuò)展電極彎折區(qū)的形狀為圓弧，所述圓弧的半徑包括30微米至100微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括：

第一半導(dǎo)體層，位于所述襯底層的上方；所述第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體；以及

第二半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層的上方；所述第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體，

其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中間設(shè)置有發(fā)光層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述倒裝發(fā)光二極管芯片還包括：

第一焊盤，位于所述第一半導(dǎo)體層上，并與所述第一半導(dǎo)體層電連接；

第二焊盤，位于所述電流擴(kuò)展層上，并與所述第二半導(dǎo)體層電連接；

所述反射絕緣層位于所述第一焊盤和所述第二焊盤上，并覆蓋所述半導(dǎo)體層；

第三焊盤，位于所述反射絕緣層的上方；以及

第四焊盤，位于所述反射絕緣層的上方，

其中，在所述反射絕緣層上與所述第一焊盤和所述第二焊盤相對(duì)應(yīng)的位置上分別設(shè)置有通孔；所述第一焊盤和所述第三焊盤通過(guò)所述通孔電連接，所述第二焊盤和所述第四焊盤通過(guò)所述通孔電連接；

所述第三焊盤和所述第四焊盤在所述倒裝發(fā)光二極管芯片固晶時(shí)，分別與封裝基板的基板電極電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述通孔的直徑包括12微米至20微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述擴(kuò)展電極包括：

第一擴(kuò)展電極，位于所述半導(dǎo)體層上方，并與所述第一焊盤電連接；

第二擴(kuò)展電極，位于所述電流擴(kuò)展層上方，并與所述第二焊盤電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述擴(kuò)展電極包括：

第一擴(kuò)展電極，位于所述半導(dǎo)體層上方；所述第一擴(kuò)展電極為N型擴(kuò)展電極；

第二擴(kuò)展電極，位于所述電流擴(kuò)展層上方；所述第二擴(kuò)展電極包括所述擴(kuò)展電極彎折區(qū)，為P型擴(kuò)展電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射絕緣層頂部的至少一部分區(qū)域?yàn)轫斸槄^(qū)，所述頂針區(qū)在所述倒裝發(fā)光二極管固晶時(shí)與頂針相接觸，

其中，在水平方向上，所述擴(kuò)展電極彎折區(qū)與所述頂針區(qū)不重合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射絕緣層包括分布式布拉格反射鏡。