[實用新型]一種電子電路的焊盤結構

有效

• 申請號: 202020747164.1
• 申請日: 2020-05-07
• 公開（公告）號: CN211860655U
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 沈潔;何忠亮;胡大海
• 申請（專利權）人: 深圳市環基實業有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/18;H05K3/34
• 代理公司: 深圳世科豐專利代理事務所(特殊普通合伙) 44501
• 代理人: 杜啟剛

本實用新型公開了一種電子電路的焊盤結構，包括導接銅層、錫鍍層、銀鍍層和金鍍層，錫鍍層位于導接銅層與銀鍍層之間，金鍍層覆蓋于銀鍍層的外表面。本實用新型銀鍍層的外表面覆蓋的金鍍層不僅可以保護銀鍍層不被氧化，而且電路板需要蝕刻處理時，金鍍層可以保護銀鍍層不受蝕刻液中的氨水的侵蝕而失效。

[技術領域]

本實用新型涉及焊接結構，尤其涉及一種電子電路的焊盤結構。

[背景技術]

電子產品的生產過程中，尤其是封裝產品的生產，通常需要無助焊劑的焊接工藝，助焊劑的使用會導致芯片表面被揮發的助焊劑污染。

申請號為CN201710827840.9的發明公開了一種半導體的錫銀接合結構及其制造方法，該半導體的錫銀接合結構具有導接銅層、錫鍍層及銀鍍層，該導接銅層與含錫鍍液接觸以進行第一化學鍍反應，使該錫鍍層直接形成于該導接銅層表面，該錫鍍層與含銀鍍液接觸以進行第二化學鍍反應，使該銀鍍層直接形成于該錫鍍層表面，其中該銀鍍層用以抑制該錫鍍層表面形成錫須。該發明半導體的錫銀接合結構錫表面的銀鍍層不僅容易氧化，而且當電路板需要蝕刻處理時，蝕刻液中的氨水會和銀形成銀氨絡合物，使錫鍍層上面的銀鍍層失效。

[發明內容]

本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠保護銀鍍層的電子電路的焊盤結構。

為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是，一種電子電路的焊盤結構，包括導接銅層、錫鍍層、銀鍍層和金鍍層，錫鍍層位于導接銅層與銀鍍層之間，金鍍層覆蓋于銀鍍層的外表面。

以上所述的電子電路的焊盤結構，包括鎳鍍層，鎳鍍層位于導接銅層與錫鍍層之間。

以上所述的電子電路的焊盤結構，錫鍍層的厚度為1至20μm，銀鍍層的厚度為0.01至1μm，金鍍層的厚度為0.01至0.2μm。

以上所述的電子電路的焊盤結構，鎳鍍層的厚度為0.01至5μm。

以上所述的電子電路的焊盤結構，所述的錫鍍層、鎳鍍層、銀鍍層和金鍍層是電鍍層。

本實用新型銀鍍層的外表面覆蓋有金鍍層，金鍍層不僅可以保護銀鍍層不被氧化，而且電路板需要蝕刻處理時，金鍍層可以保護銀鍍層不受蝕刻液中的氨水的侵蝕而失效。

[附圖說明]

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

圖1是本實用新型實施例1電子元器件焊接結構的剖面圖。

圖2是本實用新型實施例2電子元器件焊接結構的剖面圖。

[具體實施方式]

本實用新型實施例1電子元器件焊接結構如圖1所示，包括導接銅層1、錫鍍層2、銀鍍層3和金鍍層4，錫鍍層2位于導接銅層1與銀鍍層3之間，金鍍層4覆蓋于銀鍍層3的外表面。

錫鍍層2、銀鍍層3和金鍍層4都是電鍍層。

其中，錫鍍層2的厚度為1至20μm，銀鍍層3的厚度為0.01至1μm，金鍍層4的厚度為0.01至0.2μm。

本實用新型實施例1電子元器件焊接結構中金鍍層的作用如下：

1)金鍍層不僅可以保護銀鍍層不被氧化，而且電路板需要蝕刻處理時，金鍍層可以保護銀鍍層不受蝕刻液中的氨水的侵蝕而失效。

2)錫鍍層經回流焊的高溫熔化后與導接銅層、銀鍍層和金鍍層形成的合金的熔點遠高于錫鍍層的熔點，焊接結構可以耐受第二次回流焊的溫度，不被破壞。

3)銀鍍層和金鍍層可以共同抑制錫須生長。