[實(shí)用新型]一種用于鍍膜的公自轉(zhuǎn)鍍膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020699553.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212199404U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余海春;戴曉東;陳韶華;卜欽欽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 光馳科技(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/50 | 分類號(hào): | C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司: | 上海申蒙商標(biāo)專利代理有限公司 31214 | 代理人: | 周宇凡 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 鍍膜 自轉(zhuǎn) 裝置 | ||
本實(shí)用新型涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種用于鍍膜的公自轉(zhuǎn)鍍膜裝置,包括真空腔體、大轉(zhuǎn)架、小轉(zhuǎn)架,大轉(zhuǎn)架和小轉(zhuǎn)架均設(shè)置在真空腔體的內(nèi)部,其中小轉(zhuǎn)架安裝在大轉(zhuǎn)架上且兩者之間構(gòu)成轉(zhuǎn)動(dòng)配合;大轉(zhuǎn)架連接有公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在真空腔體的外部,公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置連接驅(qū)動(dòng)大轉(zhuǎn)架在真空腔體內(nèi)公轉(zhuǎn),小轉(zhuǎn)架連接有自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在真空腔體的內(nèi)部,自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置連接驅(qū)動(dòng)小轉(zhuǎn)架在大轉(zhuǎn)架上的自轉(zhuǎn);大轉(zhuǎn)架和小轉(zhuǎn)架為圓筒式轉(zhuǎn)架。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:通過(guò)調(diào)節(jié)公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速比例,可以改變沉積時(shí)間的分布,改善薄膜厚度的均勻性,具有制得的薄膜均勻性更好、濺射效率高等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種用于鍍膜的公自轉(zhuǎn)鍍膜裝置。
背景技術(shù)
制備光學(xué)薄膜常用的方法有兩種,一種是濺射法,一種是蒸發(fā)法。在濺射法中,通常是利用離子轟擊靶材表面,靶材的原子被轟擊出來(lái)并沉積在基板表面成膜。在蒸發(fā)法中,通常是利用電子束或熱蒸發(fā)的方式使基板表面沉積光學(xué)薄膜。
常規(guī)成膜裝置通過(guò)基板托盤(pán)(工件盤(pán))公自轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)提高基板表面沉積薄膜的均勻性。基板表面沉積薄膜的均勻性及精度與基板托盤(pán)(工件盤(pán))的公自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速比例,基板托盤(pán)公自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速息息相關(guān)。且不同鍍膜材料獲得高均勻性薄膜所需的公自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速比例不盡相同。而隨著光學(xué)薄膜應(yīng)用的不斷拓展,越來(lái)越多的產(chǎn)品上均通過(guò)鍍膜來(lái)提高其使用性能,但對(duì)于曲面結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品而言,目前并未有較好的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)其表面的鍍膜。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種用于鍍膜的公自轉(zhuǎn)鍍膜裝置,通過(guò)設(shè)置大轉(zhuǎn)架及小轉(zhuǎn)架實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn),從而可改變承載在小轉(zhuǎn)架上的鍍膜產(chǎn)品所受沉積時(shí)間的分布,從而改善薄膜厚度的均勻性。
本實(shí)用新型目的實(shí)現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成:
一種用于鍍膜的公自轉(zhuǎn)鍍膜裝置,其特征在于:所述裝置包括真空腔體、大轉(zhuǎn)架、小轉(zhuǎn)架,所述大轉(zhuǎn)架和所述小轉(zhuǎn)架均設(shè)置在所述真空腔體的內(nèi)部,其中所述小轉(zhuǎn)架安裝在所述大轉(zhuǎn)架上且兩者之間構(gòu)成轉(zhuǎn)動(dòng)配合;所述大轉(zhuǎn)架連接有公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,所述公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在所述真空腔體的外部,所述公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置連接驅(qū)動(dòng)所述大轉(zhuǎn)架在所述真空腔體內(nèi)公轉(zhuǎn),所述小轉(zhuǎn)架連接有自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在所述真空腔體的內(nèi)部,所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置連接驅(qū)動(dòng)所述小轉(zhuǎn)架在所述大轉(zhuǎn)架上的自轉(zhuǎn);所述大轉(zhuǎn)架和所述小轉(zhuǎn)架為圓筒式轉(zhuǎn)架。
所述小轉(zhuǎn)架與所述大轉(zhuǎn)架之間的轉(zhuǎn)動(dòng)配合指的是,所述小轉(zhuǎn)架的自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸安裝在所述大轉(zhuǎn)架上,且所述自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸與所述大轉(zhuǎn)架的架體之間構(gòu)成軸孔配合,使所述自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸可在所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的連接驅(qū)動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)。
所述公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置包括電機(jī)、同步帶輪、磁流體,所述電機(jī)通過(guò)所述同步帶輪連接所述磁流體,所述磁流體與所述大轉(zhuǎn)架相連接固定。
所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置為真空電機(jī),所述真空電機(jī)固定安裝在所述大轉(zhuǎn)架上。
所述真空電機(jī)通過(guò)電極導(dǎo)入法蘭連接有電機(jī)滑環(huán),所述電機(jī)滑環(huán)為所述真空電機(jī)的動(dòng)力部件。
所述真空電機(jī)設(shè)置有冷卻水管路。
沿所述大轉(zhuǎn)架的圓周均勻間隔布置若干所述小轉(zhuǎn)架。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:通過(guò)調(diào)節(jié)公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速比例,可以改變沉積時(shí)間的分布,改善薄膜厚度的均勻性,具有制得的薄膜均勻性更好、濺射效率高等優(yōu)點(diǎn);適用于曲面結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品鍍膜,且該公自轉(zhuǎn)系統(tǒng)可以分別控制公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)的速度,在鍍膜工藝設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)上靈活性更強(qiáng);運(yùn)行穩(wěn)定性更加,使用壽命更長(zhǎng)。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





