[實用新型]可測試的微器件排列結構

有效

• 申請號: 202020699272.6
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN212008819U
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 談江喬;柯志杰;艾國齊;劉鑒明;黃青青
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/073
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷

1.一種可測試的微器件排列結構，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上呈陣列排布的多個微LED芯片，每個所述微LED芯片包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極均位于所述微LED芯片結構背離所述襯底的一側；

位于所述第一電極和所述第二電極背離所述襯底一側的擴展電極，所述擴展電極用于與所述第一電極和/或所述第二電極電性連接；

其中，一個所述擴展電極同時連接2-4個微LED芯片的電極，且所述擴展電極的面積大于與其連接的微LED芯片的電極面積之和，以使得采用探針電連接兩個擴展電極對微LED芯片檢測時，每兩個探針單獨檢測一個微LED芯片。

2.根據權利要求1所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，還包括：平坦化層和阻擋層；

所述平坦化層位于所述襯底表面，且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；

所述阻擋層位于所述平坦化層和所述微LED芯片上，且暴露出所述微LED芯片的所述第一電極和所述第二電極。

3.根據權利要求2所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，所述擴展電極位于所述阻擋層背離所述襯底的表面。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，一個擴展電極連接兩個微LED芯片的電極。

5.根據權利要求4所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，

呈陣列排布的多個微LED芯片每一列中包括：依次重復設置的第一微LED芯片和第二微LED芯片；

同一列中，所述第一微LED芯片的第一電極和位于其下方的第二微LED芯片的第一電極連接同一擴展電極；

所述第二微LED芯片的第二電極和位于其下方的第一微LED芯片的第二電極連接同一個擴展電極。

6.根據權利要求4所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，

同一行中，每個所述微LED芯片的第一電極和與其相鄰的微LED芯片的第二電極連接同一個擴展電極。

7.根據權利要求1-3任意一項所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，一個擴展電極連接三個微LED芯片的電極；

呈陣列排布的多個微LED芯片每一列中包括：依次重復設置的第三微LED芯片、第四微LED芯片和第五微LED芯片；

其中，第i列中的第三微LED芯片的第一電極和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二電極連接同一個擴展電極；

第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二電極和第i+1列的第三微LED芯片的第一電極連接同一個擴展電極；

第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一電極與第i-1列的第五微LED芯片的第二電極連接同一個擴展電極；

第i列中的第五微LED芯片的第二電極與第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一電極連接同一個擴展電極。

8.根據權利要求1-3任意一項所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，一個擴展電極連接四個微LED芯片的電極；

呈陣列排布的多個微LED芯片每一列中包括：依次重復設置的第六微LED芯片和第七微LED芯片；

其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一電極和第i-1列的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二電極連接同一個擴展電極；

第i列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第二電極，與第i+1列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一電極連接同一個擴展電極。

9.根據權利要求2所述的可測試的微器件排列結構，其特征在于，所述阻擋層為光刻膠層、二氧化硅層、氮化硅層或聚酰亞胺層。