[實用新型]微元件貼合裝置及巨量轉移系統有效
| 申請號: | 202020690686.2 | 申請日: | 2020-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN211788935U | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發明(設計)人: | 李欣瞳;洪溫振 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 江舟 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 貼合 裝置 巨量 轉移 系統 | ||
本實用新型提供了一種微元件貼合裝置及巨量轉移系統,其裝置包括第一加壓加熱板、第二加壓加熱板和檢測組件;所述檢測組件設置在所述第一加壓加熱板和/或所述第二加壓加熱板的側邊,所述檢測組件用于在檢測到所述微元件陷入至所述微元件承載裝置的膠材中時發出警報;所述第一加壓加熱板和所述第二加壓加熱板均采用陶瓷材料制成。其系統包括微元件貼合裝置和微元件承載裝置。通過微元件貼合裝置的檢測組件的設置實現了在芯片進行貼合的過程中就可以檢測芯片是否陷入到微元件承載裝置的膠材內,提高了轉移良率。通過選用陶瓷作為微元件貼合裝置加壓加熱板的主要材料可以有效提高升溫/降溫效率、延長使用壽命。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域,尤其涉及一種微元件貼合裝置及巨量轉移系統。
背景技術
近年來,微型發光二極管(Micro LED,μLED)的制作工藝日趨完善,相比傳統顯示面板,微型發光二極管具有尺寸更小、分辨率更高、亮度更高、發光效率更高、功耗更低等眾多優點,因此也被認為是下一代顯示技術的主流。
通常發光二極管的制備流程是首先將二極管(LED)結構薄膜化、微小化、陣列化,使其尺寸僅在10微米左右,然后將微型發光二極管批量式轉移至顯示電路基板上,最后進行封裝。其中,如何實現批量式轉移則是此流程的關鍵難點,巨量轉移(Mass Transfer)技術也應運而生。巨量轉移技術是指將生長在原生基板上的微型發光二極管批量式轉移到電路基板上的技術。在Micro LED巨量轉移技術中在將芯片轉移到暫態基板時,需要對芯片兩邊的熱解膠進行貼合,傳統貼合設備的加熱加壓板的材料為石墨該材質其存在壽命短、制作成本較高以及升溫/降溫效率(10℃/min)不夠理想等問題,這些因素均會影響到生產效率;并且由于膠材具有厚度,就會有在貼合過程中芯片陷入膠材導致轉移良率偏低的情況發生,而在現有的巨量轉移設備中其無法對芯片是否陷入膠材中進行檢測,故在生過程無法及時發現其問題,導致產品不良率較高。
發明內容
有鑒于此,本公開實施例提供一種微元件貼合裝置及系統,至少部分解決現有技術中存在的問題。
第一方面,本實用新型提供了一種微元件貼合裝置,所述微元件貼合裝置包括:第一加壓加熱板、第二加壓加熱板和檢測組件;所述檢測組件設置在所述第一加壓加熱板和/或所述第二加壓加熱板上;所述第一加壓加熱板和所述第二加壓加熱板的材料為陶瓷。
本實用新型所提供的微元件貼合裝置通過設置檢測組件實現了在芯片進行貼合的過程中就可以檢測芯片是否陷入到微元件承載裝置的膠材內,提高了轉移良率。通過選用陶瓷作為加壓加熱板的主要材料可以有效提高升溫/降溫效率,并且延長使用壽命。
可選地,所述檢測組件包括第一檢測部件或第二檢測部件;所述第一檢測部件設置在所述第一加壓加熱板和所述第二加壓加熱板上;所述第二檢測部件設置在所述第一加壓加熱板和所述第二加壓加熱板上。本實用新型提供第一、第二兩種可選的檢測部件可以適應更復雜的生產加工環境,結構的選用更加靈活多樣。
可選地,所述第一檢測部件包括激光發射器和激光接收器;所述激光發射器設置于所述第一加壓加熱板上,所述激光接收器設置于所述第二加壓加熱板上,且所述激光發射器的出射光線由所述激光接收器接收;或者所述激光發射器設置于所述第二加壓加熱板上,所述激光接收器設置于所述第一加壓加熱板上,且所述激光發射器的出射光線由所述激光接收器接收。通過采用激光發射器和激光接收器的方式其優點在于結構簡單、易于實現。
可選地,所述貼合裝置還包括第一安裝件和第二安裝件;所述第一安裝件用于將所述激光發射器安裝在所述第一加壓加熱板上,所述第二安裝件用于將所述激光發射器安裝在所述第二加壓加熱板上;或者所述第一安裝件用于將所述激光發射器安裝在所述第二加壓加熱板上,所述第二安裝件用于將所述激光發射器安裝在所述第一加壓加熱板上。
可選地,所述第一安裝件和第二安裝件均為連桿。通過采用連桿的方式實現激光發射器和激光接收器的安裝其優點在于安裝方式簡單且方便調節。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





