[實用新型]一種改進氣體分布的等離子蝕刻設備

有效

• 申請號: 202020689928.6
• 申請日: 2020-04-29
• 公開（公告）號: CN211743092U
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 陳磊;廖文含;趙義黨;李志強
• 申請（專利權）人: 珠海恒格電子科技有限公司
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;H01J37/18;H01J37/305
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

1.一種改進氣體分布的等離子蝕刻設備，其特征在于，包括:

真空箱體，所述真空箱體內部形成真空腔室，所述真空腔室內設置有多塊電極，多塊所述電極相互平行且沿豎直方向設置，所述真空腔室頂部兩側對稱地設置有第一氣體主氣管、第二氣體主氣管，所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管沿水平方向設置；

所述真空箱體的頂部設置有第一進氣口、第二進氣口，所述第一進氣口連通第一氣體主氣管構成第一氣體通道，所述第二進氣口連通第二氣體主氣管構成第二氣體通道，反應氣體由所述第一進氣口、第二進氣口分別進入所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管內，流經所述第一氣體通道和所述第二氣體通道后由所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管流出，輸送至所述真空腔室內。

2.根據權利要求1所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管上均勻分布有多個斜向下或豎直向下的出氣孔。

3.根據權利要求2所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述反應氣體由所述第一進氣口、第二進氣口分別進入所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管內，流經所述第一氣體通道和所述第二氣體通道后由所述第一氣體主氣管、第二氣體主氣管上均勻分布的出氣孔流出，輸送至所述真空腔室內，以根據反應工藝需要對反應氣體進行均勻性分布控制。

4.根據權利要求3所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述等離子蝕刻設備還包括氣源，用于向所述真空腔室內供應反應氣體，所述氣源通過氣體管路將反應氣體經由第一進氣口、第二進氣口輸送至所述真空腔室內。

5.根據權利要求1至4任一項所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述真空箱體前側設有前門板，所述真空箱體后側設有后門板，所述真空箱體是由所述前門板、所述后門板、多塊鋁板之間焊接而成的四周密閉的無焊縫箱體，并在所述真空箱體內部形成所述真空腔室。

6.根據權利要求5所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述后門板與所述前門板設置在所述真空箱體的一組對面，所述前門板的一側設有加工視窗，所述加工視窗與所述前門板密封設置。

7.根據權利要求6所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述前門板與所述真空箱體之間通過門鎖固定，所述后門板與所述真空箱體之間通過密封圈連接以構成密封狀態。

8.根據權利要求5所述的等離子蝕刻設備，其特征在于：

所述后門板的一側設有真空產生口，所述真空產生口用于抽取所述真空腔室的空氣以形成真空狀態。