[實用新型]存儲器

有效

• 申請號: 202020684894.1
• 申請日: 2020-04-29
• 公開（公告）號: CN211700281U
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 童宇誠;張欽福
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型提供了一種存儲器，多個節點接觸結構形成在襯底上，且節點接觸結構中形成有氣隙，節點接觸結構通過開口電性隔離，開口和所述氣隙連通，絕緣層至少填充所述開口。本實用新型中，開口和氣隙連通，絕緣層至少填充開口，如此一來，氣隙可以保留部分，以降低節點接觸結構之間的寄生電容，防止存儲器的數據保持特性劣化，進而出現誤動作的問題；并且，不必為了避免節點接觸結構中出現空洞而提高制備節點接觸結構的要求，拓寬了制備所述節點接觸結構的工藝窗口；并且，即使絕緣層完全填充了氣隙，所述氣隙中的絕緣層也可以起到隔離相鄰所述節點接觸結構的作用，不會對存儲器的性能產生不良影響。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其是一種存儲器。

背景技術

存儲器，例如動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存儲單元陣列，所述存儲單元陣列中包括多個呈陣列式排布的存儲單元。所述存儲器還具有多條位線結構，每一位線結構分別與相應的存儲單元電性連接，并且所述存儲器還包括電容結構，所述電容結構用于存儲代表存儲信息的電荷，以及所述存儲單元可通過一節點接觸結構電性連接所述電容結構，從而實現各個存儲單元的存儲功能。

隨著器件尺寸的微縮，電容結構的橫向上(與襯底的表面平行的水平方向上)的截面面積減小。為了補償減小的面積，電容結構的縱向上(與襯底的表面垂直的高度方向上)的長度增加，由此，可以確保電容結構具有足夠大的電容值電容結構。同時，用于電性連接電容結構的節點接觸結構的高度增大，會導致形成節點接觸結構的難度更高，并且，相鄰的節點接觸結構之間的距離縮短，導致寄生電容的增大，會導致電容結構的數據保持特性劣化，出現誤動作(malfunction)等問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種存儲器，以解決相鄰的節點接觸結構之間寄生電容較大的問題。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種存儲器，包括：

襯底；

多個節點接觸結構，從所述襯底上向上延伸，所述節點接觸結構中形成有氣隙；

多個開口，位于相鄰的節點接觸結構之間以電性隔離所述節點接觸結構，并且，所述開口與所述氣隙連通；以及，

絕緣層，至少填充所述開口。

可選的，所述絕緣層遮蓋所述氣隙與所述開口的連通處；或者，所述絕緣層填充所述氣隙的部分。

可選的，所述絕緣層完全填充所述氣隙。

可選的，所述節點接觸結構形成有第一氣隙和第二氣隙，所述第一氣隙的底部高于所述第二氣隙的頂部，所述開口至少與所述第一氣隙連通。

可選的，所述開口的底部低于所述第一氣隙的底部且高于所述第二氣隙的頂部。

可選的，還包括：

隔離柱，沿第一方向延伸且位于所述襯底和所述開口之間；

位線結構，沿第二方向延伸且位于所述襯底和所述開口之間；以及，

所述節點接觸結構位于所述隔離柱及所述位線結構限定出的節點接觸窗中，在垂直于高度方向上，所述隔離柱與所述開口的位置以及所述位線結構與所述開口的位置均具有偏移。

可選的，以所述開口的底部的高度位置為界限將所述節點接觸結構分為上節點接觸部和下節點接觸部，在垂直于高度方向上，所述上節點接觸部的最大寬度尺寸大于所述下節點接觸部的最大寬度尺寸。