[實用新型]存儲器有效
| 申請號: | 202020684894.1 | 申請日: | 2020-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN211700281U | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 童宇誠;張欽福 | 申請(專利權)人: | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 | ||
1.一種存儲器,其特征在于,包括:
襯底;
多個節點接觸結構,從所述襯底上向上延伸,所述節點接觸結構中形成有氣隙;
多個開口,位于相鄰的節點接觸結構之間以電性隔離所述節點接觸結構,并且,所述開口與所述氣隙連通;以及,
絕緣層,至少填充所述開口。
2.如權利要求1所述的存儲器,其特征在于,所述絕緣層遮蓋所述氣隙與所述開口的連通處;或者,所述絕緣層填充部分所述氣隙。
3.如權利要求1所述的存儲器,其特征在于,所述絕緣層完全填充所述氣隙。
4.如權利要求1-3中任一項所述的存儲器,其特征在于,所述節點接觸結構形成有第一氣隙和第二氣隙,所述第一氣隙的底部高于所述第二氣隙的頂部,所述開口至少與所述第一氣隙連通。
5.如權利要求4所述的存儲器,其特征在于,所述開口的底部低于所述第一氣隙的底部且高于所述第二氣隙的頂部。
6.如權利要求1所述的存儲器,其特征在于,還包括:
隔離柱,沿第一方向延伸且位于所述襯底和所述開口之間;
位線結構,沿第二方向延伸且位于所述襯底和所述開口之間;
所述節點接觸結構位于所述隔離柱及所述位線結構限定出的節點接觸窗中,在垂直于高度方向上,所述隔離柱與所述開口的位置以及所述位線結構與所述開口的位置均具有偏移。
7.如權利要求1所述的存儲器,其特征在于,以所述開口的底部的高度位置為界限將所述節點接觸結構分為上節點接觸部和下節點接觸部,在垂直于高度方向上,所述上節點接觸部的最大寬度尺寸大于所述下節點接觸部的最大寬度尺寸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





