[實用新型]一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構有效
| 申請號: | 202020682930.0 | 申請日: | 2020-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN212303632U | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 孫效中;湯為;李江華 | 申請(專利權)人: | 常州旺童半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/306;H01L21/78 |
| 代理公司: | 合肥方舟知識產權代理事務所(普通合伙) 34158 | 代理人: | 宋萍 |
| 地址: | 213000 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 使用 化學 方法 劃片 結構 | ||
本實用新型公開了一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構,包括晶圓,晶圓的前壁上設有襯底,且襯底前壁開設有安裝槽,安裝槽內設有若干個芯片,且安裝槽內若干個芯片呈矩陣陣列排列設置,相鄰芯片之間的安裝槽上開設有劃片道,安裝槽內靠近左右兩側分別設有夾板,且兩個夾板的后壁均與安裝槽內腔側壁靠近后側處活動連接,兩個夾板相遠離的一側外均設有偏心輪,通過氮化硅層和二氧化硅層的相互配合,可以實現化學切割,同時進行多條劃片道的切割,提高了切割效率和經濟效益,從而可以實現經濟效益高和切割效率好的效果。
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體為一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構。
背景技術
在芯片的加工過程中,為了后續的劃片操作,在晶圓的生產過程中會加入劃片道的結構。目前的劃片方式大多為物理方式,即在劃片道處使用帶鉆石顆粒的砂輪在高速旋轉的情況下對芯片進行切割,但是現有技術的劃片道結構由于芯片硬度很大,對砂輪的損耗過大,需要頻繁更換砂輪,經濟效益偏低且由于使用物理方式,每次只能進行一條劃片道的切割,切割效率低。為此,我們提出一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構。
實用新型內容
本實用新型解決的技術問題在于克服現有技術的經濟效益低和切割效率低等缺陷,提供一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構。所述一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構具有經濟效益高和切割效率好等特點。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種芯片能使用化學方法劃片的劃片道結構,包括晶圓,所述晶圓的前壁上設有襯底,且襯底前壁開設有安裝槽,所述安裝槽內設有若干個芯片,且安裝槽內若干個芯片呈矩陣陣列排列設置,相鄰芯片之間的安裝槽上開設有劃片道,所述安裝槽內靠近左右兩側分別設有夾板,且兩個夾板的后壁均與安裝槽內腔側壁靠近后側處活動連接,兩個所述夾板相遠離的一側外均設有偏心輪,且兩個偏心輪后壁均與安裝槽內腔側壁靠近后側處活動連接,兩個所述偏心輪的底部靠近中間處分別固定連接有撥動桿。
優選的,兩個所述夾板上方和下方分別設有限位柱,且兩側的兩個限位柱相靠近的一側分別與兩個夾板頂部和底部相接觸,兩側的兩個所述限位柱的后端均與安裝槽內腔側壁靠近后側處固定連接。
優選的,兩個所述夾板相遠離的一側靠近頂部和底部分別固定連接有彈簧,且兩側的兩個彈簧相遠離的一端均與安裝槽的內腔側壁固定連接。
優選的,所述安裝槽的內腔側壁靠近左右兩側處分別固定連接有螺紋桿,且兩個偏心輪的后壁靠近底部處分別開設有與螺紋桿相匹配的螺紋孔。
優選的,兩個所述偏心輪相靠近的一側分別固定連接有弧形抵板,且兩個弧形抵板相靠近的一側分別與兩個所述夾板相靠近的一側相接觸。
優選的,所述劃片道上設有二氧化硅層,所述二氧化硅層頂部上設有兩個氮化硅層,且兩個氮化硅層相遠離的一側分別與劃片道內腔側壁靠近左右兩側處固定連接。
優選的,所述二氧化硅層的厚度設置大于氮化硅層的厚度設置。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
1、在本技術方案中,通過偏心輪、夾板、弧形抵板、螺紋桿、螺紋孔、限位柱和撥動桿的相互配合,可以實現芯片劃片切割時的固定,保證了穩定性,彈簧則對夾板的運動進行緩沖保護,避免芯片受到損壞;
2、在本技術方案中,通過氮化硅層和二氧化硅層的相互配合,可以實現化學切割,同時進行多條劃片道的切割,提高了切割效率和經濟效益,從而可以實現經濟效益高和切割效率好的效果。
附圖說明
圖1為本實用新型的原始結構圖;
圖2為圖1中劃片道的正視圖;
圖3為圖2中晶圓減薄后的示意圖;
圖4為圖3中芯片劃片后的示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





