[實(shí)用新型]一種單端全屏蔽小型真空滅弧室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020675429.1
• 申請(qǐng)日: 2020-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211788810U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張亞麗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 陜西寶光真空電器股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01H33/664
• 分類(lèi)號(hào): H01H33/664;H01H33/662
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單端全屏蔽小型真空滅弧室，其屬于真空滅弧室技術(shù)領(lǐng)域，包括瓷殼和設(shè)置于所述瓷殼內(nèi)部的屏蔽筒、靜均壓罩和動(dòng)均壓罩，所述屏蔽筒的第一端與所述靜均壓罩插接形成全屏蔽結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒的第二端與所述動(dòng)均壓罩間隔設(shè)置形成開(kāi)放式結(jié)構(gòu)，所述第一端的邊緣向所述屏蔽筒的內(nèi)側(cè)彎折形成第一卷邊結(jié)構(gòu)。全屏蔽結(jié)構(gòu)可以完全屏蔽開(kāi)斷過(guò)程中電弧燃燒產(chǎn)生的金屬蒸汽對(duì)瓷殼的靜端造成的污染，有效提高開(kāi)斷后瓷殼絕緣水平。只對(duì)瓷殼的靜端進(jìn)行全屏蔽，減小屏蔽筒的尺寸，進(jìn)而減小瓷殼的徑向和軸向尺寸，縮小真空滅弧室的體積。第一卷邊結(jié)構(gòu)能夠顯著降低屏蔽筒與靜均壓罩兩者端口處的局部電場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)金屬蒸汽的屏蔽作用。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及真空滅弧室技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種單端全屏蔽小型真空滅弧室。

背景技術(shù)

激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)要求真空開(kāi)關(guān)向高性能、小型化、低成本的方向發(fā)展，作為真空開(kāi)關(guān)的核心器件真空滅弧室也必然面臨小型化的壓力。

如圖1所示，真空滅弧室一般包括瓷殼11、設(shè)置于瓷殼11兩端的靜蓋板12和動(dòng)蓋板13、設(shè)置于瓷殼11內(nèi)的屏蔽筒14、靜均壓罩15和動(dòng)均壓罩16，靜導(dǎo)電桿17和動(dòng)導(dǎo)電桿18均位于屏蔽筒14的中心位置處。由于屏蔽筒14的兩端與靜均壓罩15和動(dòng)均壓罩16間隔設(shè)置，使得電弧燃燒過(guò)程中產(chǎn)生的金屬蒸汽會(huì)對(duì)瓷殼11造成污染，對(duì)瓷殼11的絕緣水平產(chǎn)生影響。由于動(dòng)導(dǎo)電桿18上套設(shè)有波紋管19，而波紋管19的直徑尺寸受機(jī)械壽命的限制很難做小，使得屏蔽筒14和瓷殼11的直徑較大，不符合小型化的發(fā)展趨勢(shì)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種單端全屏蔽小型真空滅弧室，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的電弧燃燒過(guò)程中產(chǎn)生的金屬蒸汽會(huì)對(duì)瓷殼造成污染以及真空滅弧室體積較大的技術(shù)問(wèn)題。

如上構(gòu)思，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：

一種單端全屏蔽小型真空滅弧室，包括瓷殼和設(shè)置于所述瓷殼內(nèi)部的屏蔽筒、靜均壓罩和動(dòng)均壓罩，所述屏蔽筒的第一端與所述靜均壓罩插接形成全屏蔽結(jié)構(gòu)，所述屏蔽筒的第二端與所述動(dòng)均壓罩間隔設(shè)置形成開(kāi)放式結(jié)構(gòu)，所述第一端的邊緣向所述屏蔽筒的內(nèi)側(cè)彎折形成第一卷邊結(jié)構(gòu)。

其中，所述第一端向所述屏蔽筒的內(nèi)側(cè)彎折形成第一擋止部。

其中，所述第一擋止部的邊緣沿所述屏蔽筒的軸向延伸形成伸長(zhǎng)部，所述伸長(zhǎng)部與所述靜均壓罩插接，所述伸長(zhǎng)部的邊緣形成所述第一卷邊結(jié)構(gòu)。

其中，所述靜均壓罩的直徑大于所述伸長(zhǎng)部的直徑，所述靜均壓罩與所述伸長(zhǎng)部之間沿徑向形成間隙。

其中，所述靜均壓罩的邊緣向所述靜均壓罩的內(nèi)側(cè)彎折形成第二卷邊結(jié)構(gòu)。

其中，還包括動(dòng)導(dǎo)電桿和套設(shè)于所述動(dòng)導(dǎo)電桿上的波紋管，所述波紋管位于所述屏蔽筒的外部。

其中，所述第二端向所述屏蔽筒的內(nèi)側(cè)彎折形成第二擋止部。

其中，所述動(dòng)導(dǎo)電桿上于所述波紋管靠近所述屏蔽筒的一側(cè)設(shè)置有屏蔽罩，所述屏蔽罩的直徑大于所述第二擋止部的邊緣處的直徑。

其中，所述動(dòng)均壓罩套設(shè)于所述波紋管的外側(cè)。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型提出的單端全屏蔽小型真空滅弧室，通過(guò)將屏蔽筒的第一端與靜均壓罩插接形成全屏蔽結(jié)構(gòu)，可以完全屏蔽開(kāi)斷過(guò)程中電弧燃燒產(chǎn)生的金屬蒸汽對(duì)瓷殼的靜端造成的污染，有效提高了開(kāi)斷后瓷殼內(nèi)絕緣水平。屏蔽筒的第二端與動(dòng)均壓罩間隔設(shè)置形成開(kāi)放式結(jié)構(gòu)，只對(duì)瓷殼的靜端進(jìn)行全屏蔽，減小屏蔽筒的尺寸，進(jìn)而可以減小瓷殼的徑向和軸向尺寸，縮小真空滅弧室的體積。第一卷邊結(jié)構(gòu)能夠顯著降低屏蔽筒與靜均壓罩兩者端口處的局部電場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)金屬蒸汽的屏蔽作用。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的真空滅弧室的示意圖；