[實用新型]功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020633991.8 | 申請日： | 2020-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN212159991U | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 依志強;李強 | 申請（專利權(quán)）人： | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都極刻智慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐維虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 器件 雪崩 測試 系統(tǒng) | ||
1.一種功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，包括：功率器件測試電路、電信號采集電路、雪崩能量計算子系統(tǒng)及環(huán)境溫度控制子系統(tǒng)；
所述電信號采集電路與所述功率器件測試電路中的待測試功率器件連接，用于采集所述待測試功率器件在導(dǎo)通時的壓降及電流；
所述雪崩能量計算子系統(tǒng)與所述電信號采集電路連接，用于根據(jù)所述電信號采集電路采集的壓降及電流計算得到所述待測試功率器件發(fā)生二次擊穿所需的雪崩耐量；
所述環(huán)境溫度控制子系統(tǒng)為所述待測試功率器件提供可調(diào)的工作環(huán)境溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述環(huán)境溫度控制子系統(tǒng)包括用于設(shè)置環(huán)境溫度的設(shè)置按鈕。
3.如權(quán)利要求2所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述環(huán)境溫度控制子系統(tǒng)包括溫控箱，所述待測試功率器件設(shè)置在所述溫控箱內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1-3中任意一項所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述功率器件測試電路包括：直流電源、待測試功率器件、驅(qū)動電壓提供子電路及導(dǎo)通控制子電路；
所述待測試功率器件包括控制電極、第一電極和第二電極，所述控制電極與所述驅(qū)動電壓提供子電路連接、所述第一電極與所述直流電源的正極連接、所述第二電極與所述直流電源的負極分別接地；所述直流電源為所述待測試功率器件提供直流偏置電壓，所述驅(qū)動電壓提供子電路為所述待測試功率器件提供驅(qū)動電壓；
所述導(dǎo)通控制子電路連接在所述驅(qū)動電壓提供子電路與所述待測試功率器件的控制電極之間，用于控制施加在所述待測試功率器件的控制電極上的驅(qū)動電壓，從而控制所述待測試功率器件的導(dǎo)通時間。
5.如權(quán)利要求4所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述待測試功率器件包括絕緣柵雙極型晶體管、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及雙極結(jié)型晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述待測試功率器件為NPN雙極結(jié)型晶體管，所述待測試功率器件的第一電極為該NPN雙極結(jié)型晶體管的集電極、第二電極為該NPN雙極結(jié)型晶體管的發(fā)射極、控制電極為該NPN雙極結(jié)型晶體管的基極。
7.如權(quán)利要求6所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述驅(qū)動電壓提供子電路包括第二電阻、第三電阻、第一二極管、第二二極管及第一脈沖信號源；
所述第二電阻與所述第三電阻串聯(lián)連接在所述第一脈沖信號源與所述待測試功率器件的控制電極之間；
所述第一二極管的陰極連接在所述第二電阻與所述第三電阻之間，所述第一二極管的陽極與所述第二二極管的陽極連接，所述第二二極管的陰極接地。
8.如權(quán)利要求7所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)通控制子電路包括第一電阻、第四電阻、第三二極管、開關(guān)管及第二脈沖信號源；
所述開關(guān)管包括控制電極、第一電極以及第二電極，所述開關(guān)管的第一電極連接在所述驅(qū)動電壓提供子電路的輸出端與所述待測試功率器件的控制電極之間、第二電極接地；
所述第一電阻連接在所述開關(guān)管的控制電極與所述第二脈沖信號源之間；
所述第三二極管的陰極連接在所述第一電阻與所述開關(guān)管的控制電極之間，所述第三二極管的陽極接地；
所述第四電阻的一端與所述開關(guān)管的控制電極連接，所述第四電阻的另一端接地。
9.如權(quán)利要求8所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述開關(guān)管為增強型MOSFET，所述開關(guān)管的第一電極為該增強型MOSFET的漏極、第二電極為該增強型MOSFET的源極、控制電極為該增強型MOSFET的柵極。
10.如權(quán)利要求9所述的功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第一脈沖信號源輸入高頻脈沖信號，所述第二脈沖信號源輸入單脈沖信號。
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