[實用新型]用于等離子體處理系統的邊緣環和包括該邊緣環的系統

有效

• 申請號: 202020586711.2
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN212874424U
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·金博爾;湯姆·A·坎普;赫馬·斯瓦魯普·莫皮迪維
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/21
• 分類號: H01J37/21;H01J37/09;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

本實用新型涉及一種用于等離子體處理系統的邊緣環，所述邊緣環包括：環形體；從所述環形體向下延伸的徑向內支腿；以及從所述環形體向下延伸的徑向外支腿。空腔位于所述徑向內支腿和所述徑向外支腿之間。P個凹槽配置為容納邊緣環提升銷。所述P個凹槽的間距為360°/P。所述P個凹槽位于所述徑向外支腿的徑向內表面上，與所述徑向外支腿的底表面相鄰，其中，P為大于2的整數。還涉及包括該邊緣環的系統。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年2月13日提交的美國臨時專利申請序列號62/976,088和2019年8月5日提交的美國臨時專利申請序列號 62/882,890的權益。通過引用將上述申請的全部公開內容并入本文。

技術領域

本實用新型涉及邊緣環，更具體地涉及用于襯底處理系統的帶有提升銷凹槽的邊緣環。

背景技術

這里提供的背景描述是為了總體上介紹本實用新型的上下文。在此背景技術部分中所描述的范圍內，目前提名的發明人的工作成果，以及在申請時可能無法另外視為現有技術的描述內容，均未明確或暗含地被承認為相對于本實用新型的現有技術。

襯底處理系統在諸如半導體晶片之類的襯底上執行處理。襯底處理的示例包括沉積、灰化、蝕刻、清潔和/或其他過程。可以將處理氣體混合物供應到處理室以處理襯底。等離子體可用于點燃氣體以增強化學反應。

在處理期間，將襯底布置在襯底支撐件上。邊緣環包括環形體，該環形體圍繞并鄰近襯底的徑向外邊緣布置。邊緣環可用于將等離子體成形或集中到襯底上。在操作期間，襯底和邊緣環的暴露表面被等離子體蝕刻。結果，邊緣環磨損并且邊緣環對等離子體的影響隨時間變化。

實用新型內容

一種用于等離子體處理系統的邊緣環，其包括：環形體；從環形體向下延伸的徑向內支腿；以及從環形體向下延伸的徑向外支腿。空腔位于徑向內支腿和徑向外支腿之間。P個凹槽配置為容納邊緣環提升銷。P個凹槽的間距為360°/P。P個凹槽位于徑向外支腿的徑向內表面上，與徑向外支腿的底表面相鄰，其中，P為大于2的整數。

在其他特征中，P個凹槽中的每一個包括相對于環形體的中心在徑向方向上延伸的頂點。P個凹槽中的每一個包括第一空腔和具有“V”形橫截面的第二空腔。第二空腔包括第一壁、第二壁以及在第一壁和第二壁之間的頂點，其中第一壁和第二壁形成在75°至105°范圍內的角度。第一空腔具有矩形橫截面。第二空腔包括在安裝時在平行于襯底的平面中延伸的頂點。頂點相對于環形體的中心部分沿徑向方向延伸。

在其他特征中，在徑向內支腿和徑向外支腿之間的位置中的環形體的厚度t在0.5mm至10mm的范圍內。在徑向內支腿和徑向外支腿之間的位置中的環形體的厚度t在0.5mm至5mm的范圍內。

在其他特征中，環形體的頂表面包括傾斜部分，該傾斜部分在朝著環形體的徑向外邊緣的方向上線性地向下傾斜。傾斜部分從頂表面的上部到頂表面的下部線性地向下傾斜豎直距離d。d大于或等于 t。d在t至3t的范圍內。d在0.25*t至t的范圍內。

在其他特征中，頂表面的上部和頂表面的下部布置成在安裝時平行于包括襯底的平面。從空腔的徑向外邊緣到頂表面開始向下傾斜的位置的水平距離h在0mm至10mm的范圍內。

在其他特征中，環形體由導電材料制成。空腔配置為容納導電邊緣環。

一種系統包括邊緣環、導電邊緣環和多個邊緣環提升銷。多個致動器配置為相對于導電邊緣環提升邊緣環的環形體。