[實用新型]用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)和包括該邊緣環(huán)的系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020586711.2
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN212874424U
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 克里斯托弗·金博爾;湯姆·A·坎普;赫馬·斯瓦魯普·莫皮迪維
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/21
• 分類號: H01J37/21;H01J37/09;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張華

1.一種用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)包括：

環(huán)形體；

從所述環(huán)形體向下延伸的徑向內(nèi)支腿；

從所述環(huán)形體向下延伸的徑向外支腿；

在所述徑向內(nèi)支腿和所述徑向外支腿之間的空腔；以及

配置為容納邊緣環(huán)提升銷的P個凹槽，其中：

所述P個凹槽的間距為360°/P，以及

所述P個凹槽位于所述徑向外支腿的徑向內(nèi)表面上，與所述徑向外支腿的底表面相鄰，其中，P為大于2的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述P個凹槽中的每一個包括相對于所述環(huán)形體的中心在徑向方向上延伸的頂點。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述P個凹槽中的每一個包括：

第一空腔；以及

具有“V”形橫截面的第二空腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述第二空腔包括第一壁和第二壁以及在所述第一壁和所述第二壁之間的頂點，其中，所述第一壁和所述第二壁形成在75°至105°范圍內(nèi)的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述第一空腔具有矩形的橫截面。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述第二空腔包括在安裝時在平行于襯底的平面中延伸的頂點。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述頂點相對于所述環(huán)形體的中心部分在徑向方向上延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，在所述徑向內(nèi)支腿和所述徑向外支腿之間的位置處的所述環(huán)形體的厚度t在0.5mm至10mm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，在所述徑向內(nèi)支腿和所述徑向外支腿之間的位置處的所述環(huán)形體的厚度t在0.5mm至5mm的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述環(huán)形體的頂表面包括傾斜部分，所述傾斜部分在朝著所述環(huán)形體的徑向外邊緣的方向上線性地向下傾斜。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述傾斜部分從所述頂表面的上部到所述頂表面的下部線性地向下傾斜豎直距離d。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，d大于或等于t。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，d在t至3t的范圍內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，d在0.25*t至t的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，所述頂表面的上部和所述頂表面的下部被布置成在安裝時平行于包括襯底的平面。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中，從所述空腔的所述徑向外邊緣到所述頂表面開始向下傾斜的位置的水平距離h在0mm至10mm的范圍內(nèi)。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于等離子體處理系統(tǒng)的邊緣環(huán)，其中：

所述環(huán)形體由導(dǎo)電材料制成；以及

所述空腔配置為容納導(dǎo)電邊緣環(huán)。