[實用新型]一種非易失性存儲器結構

有效

• 申請號: 202020519501.1
• 申請日: 2020-04-10
• 公開（公告）號: CN211480026U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 張傲峰;李建財
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 苗曉娟

1.一種非易失性存儲器結構，其特征在于，其包括：

襯底；

至少兩個隔離結構，每個所述隔離結構的一端伸入所述襯底中；

凹部，其形成于每個所述隔離結構側壁與相鄰所述襯底側壁之間，所述凹部的一部分具有傾斜直線剖面形狀，所述凹部的另一部分具有弧形曲線剖面形狀；

隧穿氧化層，其形成于所述襯底表面及所述襯底側壁；

浮柵層，其形成于所述隧穿氧化層背離所述襯底的一側，且覆蓋所述隧穿氧化層、所述凹部及所述隔離結構；

柵極閘門，其形成于所述浮柵層與所述隧穿氧化層之間，所述柵極閘門包括多個電流隧穿通道控制面。

2.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述凹部與所述襯底側壁相交的輪廓線呈所述傾斜直線剖面形狀。

3.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述凹部與所述隔離結構側壁相交的輪廓線呈所述弧形曲線剖面形狀。

4.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述電流隧穿通道控制面包括襯底上表面及襯底兩側傾斜直線剖面形狀側壁形成的表面。

5.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述存儲器結構還包括控制柵層，所述控制柵層形成于所述浮柵層背離所述襯底的一側。

6.根據權利要求5所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述存儲器結構還包括介電層，所述介電層形成于所述浮柵層背離所述襯底的一側，且位于所述浮柵層和所述控制柵層之間。

7.根據權利要求6所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述介電層包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

8.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述浮柵層包括多晶硅。

9.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述隔離結構呈倒置梯形。

10.根據權利要求1所述一種非易失性存儲器結構，其特征在于，所述隧穿氧化層包括氧化硅。