[實(shí)用新型]一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020519501.1
• 申請(qǐng)日: 2020-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN211480026U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張傲峰;李建財(cái)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11517
• 分類號(hào): H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 苗曉娟

本實(shí)用新型公開了一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括：襯底；至少兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，每個(gè)隔離結(jié)構(gòu)的一端伸入襯底中，使襯底暴露側(cè)壁；凹部形成于每個(gè)所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁與相鄰所述襯底側(cè)壁之間，所述凹部的一部分具有傾斜直線剖面形狀所述凹部的另一部分具有弧形曲線剖面形狀；隧穿氧化層形成于所襯底的一側(cè)，且覆蓋襯底表面及襯底側(cè)壁；浮柵層形成于隧穿氧化層背離襯底的一側(cè)，且覆蓋隧穿氧化層、凹部及隔離結(jié)構(gòu)；柵極閘門形成于浮柵層與隧穿氧化層之間，柵極閘門包括多個(gè)電流隧穿通道控制面。本實(shí)用新型有效的提高了柵極閘門對(duì)于電流隧穿通道的控制，減少漏電。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory，NVM)是所有形式的固態(tài)存儲(chǔ)器，其無須定期對(duì)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行刷新。非易失性存儲(chǔ)器包括所有形式的只讀存儲(chǔ)器(ROM)，如可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和閃存(Flash)，也包括電池供電的隨機(jī)存取儲(chǔ)存器(RAM)。隨著器件特征尺寸不斷縮小，集成度不斷提高，傳統(tǒng)的基于電荷存儲(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器將面臨物理與技術(shù)的極限。非易失性存儲(chǔ)器隨著工藝尺寸的不斷微縮，短溝道效應(yīng)SCE(short channel effect)影響加劇，導(dǎo)致柵極對(duì)電流通道的控制能力減弱，漏電增加，此外，受限于短溝道效應(yīng)帶來的負(fù)面影響會(huì)直接限制先進(jìn)工藝的尺寸，從而無法獲取更高集成度的產(chǎn)品。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有的非易失性存儲(chǔ)器中柵極對(duì)電流隧穿通道的控制能力弱的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本實(shí)用新型提供一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其包括：

襯底；

至少兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述隔離結(jié)構(gòu)的一端伸入所述襯底中；

凹部，其形成于每個(gè)所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁與相鄰所述襯底側(cè)壁之間，所述凹部的一部分具有傾斜直線剖面形狀，所述凹部的另一部分具有弧形曲線剖面形狀；

隧穿氧化層，其形成于所述襯底表面及所述襯底側(cè)壁；

浮柵層，其形成于所述隧穿氧化層背離所述襯底的一側(cè)，且覆蓋所述隧穿氧化層、所述凹部及所述隔離結(jié)構(gòu)；

柵極閘門，其形成于所述浮柵層與所述隧穿氧化層之間，所述柵極閘門包括多個(gè)電流隧穿通道控制面。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述凹部與所述襯底側(cè)壁相交的輪廓線呈所述傾斜直線剖面形狀。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述凹部與所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁相交的輪廓線呈所述弧形曲線剖面形狀。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述電流隧穿通道控制面包括襯底上表面及襯底兩側(cè)傾斜直線剖面形狀側(cè)壁形成的表面。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)還包括控制柵層，所述控制柵層形成于所述浮柵層背離所述襯底的一側(cè)。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)還包括介電層，所述介電層形成于所述浮柵層背離所述襯底的一側(cè)，且位于所述浮柵層和所述控制柵層之間。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述介電層包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述浮柵層包括多晶硅。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)呈倒置梯形。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述隧穿氧化層包括氧化硅。