[實用新型]存儲器設備

有效

• 申請號: 202020511686.1
• 申請日: 2020-04-09
• 公開（公告）號: CN211828134U
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: A·庫瑪;M·A·阿拉姆
• 申請（專利權）人: 意法半導體國際有限公司
• 主分類號: G11C11/417
• 分類號: G11C11/417;G11C11/412;G11C5/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種存儲器設備，其特征在于，包括：

存儲器陣列，在電源電壓節點和虛擬接地電壓節點之間被供電；

偽存儲器陣列，在第一節點和第二節點之間被供電，所述偽存儲器陣列包括作為所述存儲器陣列的晶體管的復制品的晶體管；

虛擬接地發生電路，被配置為根據控制電壓在所述虛擬接地電壓節點處生成虛擬接地電壓；以及

控制電壓發生電路，被耦合在所述第二節點和接地之間，并且被配置為隨著跟蹤所述存儲器陣列的保持噪聲容限RNM而生成所述控制電壓，所述控制電壓隨著所述RNM減小而上升。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其特征在于，所述控制電壓發生電路包括耦合在所述第二節點與接地之間的多個二極管耦合的n溝道晶體管，所述控制電壓在所述多個二極管耦合的n溝道晶體管中的一個二極管耦合的n溝道晶體管的漏極處被生成。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，其特征在于，所述虛擬接地發生電路包括：

第一分支，包括耦合在所述虛擬接地電壓節點和接地之間的至少一個二極管耦合的n溝道晶體管，所述虛擬接地電壓在所述至少一個二極管耦合的n溝道晶體管的漏極處被生成；以及

第二分支，包括響應于所述控制電壓而啟用或禁用所述第二分支的n溝道晶體管，所述第二分支與所述第一分支并聯耦合。

4.根據權利要求3所述的存儲器設備，其特征在于，所述第二分支進一步包括連接到啟用或禁用所述第二分支的所述n溝道晶體管的至少一個二極管耦合的n溝道晶體管。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其特征在于，所述虛擬接地發生電路還包括：

使能n溝道晶體管，所述使能n溝道晶體管響應于使能信號而將所述虛擬接地電壓節點選擇性地耦合至接地。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其特征在于，進一步包括虛擬電源發生電路，所述虛擬電源發生電路被配置為根據附加控制電壓而在所述電源電壓節點處生成虛擬電源電壓；并且所述存儲器設備還包括附加控制電壓發生電路，所述附加控制電壓發生電路被耦合在所述第一節點和電源電壓之間，并且被配置為隨著跟蹤所述存儲器陣列的RNM而生成所述附加控制電壓，所述附加控制電壓隨著RNM減小而下降。

7.一種存儲器設備，其特征在于，包括：

存儲器陣列，在虛擬電源電壓節點和虛擬接地電壓節點之間被供電；

偽存儲器陣列，在第一節點和第二節點之間被供電，所述偽存儲器陣列包括至少一些晶體管，所述至少一些晶體管是所述存儲器陣列的晶體管的復制品；

虛擬電源電壓發生電路，被配置為根據控制電壓，在所述虛擬電源電壓節點處生成虛擬電源電壓；以及

控制電壓發生電路，被耦合在所述第一節點和電源電壓之間，并且被配置為隨著跟蹤所述存儲器陣列的保持噪聲容限RNM而生成所述控制電壓，所述控制電壓隨著所述RNM減小而下降。

8.根據權利要求7所述的存儲器設備，其特征在于，所述控制電壓發生電路包括耦合在所述虛擬電源電壓節點和所述電源電壓之間的多個二極管耦合的p溝道晶體管，所述控制電壓在所述多個二極管耦合的p溝道晶體管中的一個二極管耦合的p溝道晶體管的漏極處被生成。

9.根據權利要求7所述的存儲器設備，其特征在于，所述虛擬電源電壓發生電路包括：

第一分支，包括耦合在所述虛擬電源電壓節點和所述電源電壓之間的至少一個二極管耦合的p溝道晶體管，所述虛擬電源電壓在所述至少一個二極管耦合的p溝道晶體管的漏極處被生成；以及

第二分支，包括響應于所述控制電壓而啟用或禁用所述第二分支的p溝道晶體管，所述第二分支與所述第一分支并聯耦合。

10.根據權利要求9所述的存儲器設備，其特征在于，所述第二分支進一步包括連接到啟用或禁用所述第二分支的所述p溝道晶體管的至少一個二極管耦合的p溝道晶體管。