[實用新型]CVD用耐高溫卡塞有效
| 申請號: | 202020491566.X | 申請日: | 2020-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN211719567U | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 曹如友;鄒小芬;吳嘉文;黃昭遂;趙家富;陳志彬 | 申請(專利權)人: | 泉州三安半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 地址: | 362343 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cvd 耐高溫 | ||
本實用新型提出一種CVD用耐高溫卡塞,所述卡塞包括左右對稱的框架本體,所述框架本體的頂部開口,所述框架本體相對的兩側為設置有若干均勻分布的卡槽的側壁,所述卡槽用于從頂部開口放置CVD作業后的晶片,所述卡塞的主體結構使用鋁合金,在其表面噴涂一層保護層,可解決現有技術中卡塞不耐高溫,易發生形變和晶片易刮傷的問題;同時在卡塞底部加裝電木托手,可解決握手處溫度較高的問題,可手持使用。
技術領域
本實用新型涉及晶片的存放裝置,具體地說,涉及的是一種存放晶片的卡塞。
背景技術
現有的卡塞,通常由鐵氟龍(聚四氟乙烯)材質組成,熔點為327°,連續使用時能承受的最高溫度為260℃。若連續使用時溫度超過260℃時,卡塞會發生形變。在CVD作業完成后,晶片的表面溫度可達300℃以上,無法直接將晶片放置于現有的卡塞上。同時,手持卡塞底部時,片源與手掌距離較近,由于卡塞導熱性能較好,如果直接高溫收片,手掌有明顯的灼熱感,無法手持使用。
目前,在CVD作業完成收片時,一般將晶片放置在不銹鋼茶盤上冷卻后再歸盒到鐵氟龍卡塞,置換卡塞將片源轉移到常規卡塞后送到下一道工序,該方案普遍存在兩個問題,一、人員操作多,效率低下;二、晶片在茶盤上容易滑動,造成刮傷,降低產品良率。
發明內容
為了解決以上的問題,本實用新型提出一種CVD用耐高溫卡塞,所述卡塞包括左右對稱的框架本體,所述框架本體的頂部開口,所述框架本體相對的兩側為設置有若干均勻分布的卡槽的側壁,該卡槽用于從頂部開口處放置CVD作業后的晶片,所述卡塞的主體結構采用鋁合金材料,其特征在于:所述卡塞的表面還包括一層保護層,該保護層可保護晶片不被刮傷。
優選地,所述保護層為聚四氟乙烯材質。
優選地,所述保護層的厚度范圍為0.06~0.08mm。
優選地,所述卡塞底部還設置有電木托手,通過螺絲固定在卡塞的底部。
優選地,所述卡塞的側壁采用分段開槽,便于分散熱量,同時減輕卡塞的重量,便于使用。
如上所述,本實用新型提供CVD用耐高溫卡塞,至少具有以下有益效果:
1.所述卡塞的主體結構采用鋁合金材料,在卡塞的表面包括一層保護層,可解決現有技術中卡塞不耐高溫,易發生形變和晶片易刮傷的問題;
2.在卡塞底部加裝電木托手,可解決握手處溫度較高的問題,可手持使用;
3.卡塞的側壁采用分段開槽,便于分散熱量,同時減輕卡塞的重量,便于使用。
附圖說明
附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本實用新型實施例一起用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的限制。此外,附圖數據是描述概要,不是按比例繪制。
圖1為實施例1中CVD耐高溫卡塞的俯視圖。
圖2為實施例1中CVD耐高溫卡塞側壁結構的示意圖。
圖3為實施例1中CVD耐高溫卡塞的前端的結構示意圖。
圖中:001:卡塞側壁;002:卡塞的前端;003:卡塞的后端;004:卡槽;005:敞開的頂部;006:電木托手;007:卡槽開孔;008:晶片。
具體實施方式
以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用,本實用新型中的各項細節也可以基于不同觀點與應用,在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





