[實用新型]CVD用耐高溫卡塞有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020491566.X | 申請日： | 2020-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN211719567U | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹如友;鄒小芬;吳嘉文;黃昭遂;趙家富;陳志彬 | 申請（專利權(quán)）人： | 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cvd 耐高溫 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.CVD用耐高溫卡塞，所述卡塞包括左右對稱的框架本體，所述框架本體的頂部開口，所述框架本體相對的兩側(cè)為設(shè)置有若干均勻分布的卡槽的側(cè)壁，所述卡槽用于從頂部開口放置CVD作業(yè)后的晶片，所述卡塞的主體結(jié)構(gòu)采用鋁合金材料，其特征在于：所述卡塞的表面還包括一層保護層，所述保護層可保護晶片不被刮傷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD用耐高溫卡塞，其特征在于：所述保護層為聚四氟乙烯材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD用耐高溫卡塞，其特征在于：所述保護層的厚度范圍為0.06~0.08mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD用耐高溫卡塞，其特征在于：所述卡塞底部還設(shè)置有電木托手，通過螺絲固定在卡塞的底部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD用耐高溫卡塞，其特征在于：所述卡塞側(cè)壁的卡槽采用分段開孔，便于分散熱量，同時減輕卡塞的重量，便于使用。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
