[實用新型]針對靜電放電的保護器件

有效

• 申請號: 202020478895.0
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN212342624U
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: E·拉孔德;O·奧里
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

本公開的實施例涉及針對靜電放電的保護器件。第一導電類型的半導體襯底被涂覆有第二導電類型的半導體層。第二導電類型的掩埋區域形成在半導體襯底與半導體層之間的界面。第一導電類型的第一阱和第二阱提供在半導體層中。第二導電類型的第二區域在第一阱中形成。第二導電類型的第三區域在第二阱中形成。第一阱、半導體層、第二阱和第三區域形成第一橫向晶閘管。第二阱、半導體層、第一阱和第二區域形成第二橫向晶閘管。掩埋區域和半導體襯底形成齊納二極管，該齊納二極管設置橫向晶閘管的觸發電壓。本公開的實施例能夠使針對靜電放電保護的器件結構更加緊湊。

技術領域

本公開總體上涉及電子電路，并且更具體地，涉及針對一種保護電子電路免受靜電放電的器件。

背景技術

保護電子電路免受靜電放電的器件是本領域已知的，其包括橫向晶閘管以使由于靜電放電引起的過電壓耗散。

然而，基于橫向晶閘管的針對靜電放電的保護器件的已知結構具有各種缺點。

期望至少部分地克服這些缺點中的一些缺點。

實用新型內容

針對靜電放電保護的常規器件的結構不夠緊湊。

為了克服上述問題，本公開提供了旨在解決上述問題的至少一部分的技術方案。

在一個方面中，提供了一種針對靜電放電的保護器件，包括：第一導電類型的半導體襯底；第二導電類型的半導體層，半導體層涂覆半導體襯底；第二導電類型的掩埋區域，掩埋區域在半導體襯底與半導體層之間的界面處，具有大于半導體層的摻雜水平的摻雜水平；第一導電類型的第一阱和第二阱，在與半導體襯底相反的表面處的半導體層中形成；第二導電類型的第二區域，在與半導體襯底相反的表面處的第一阱中形成；以及第二導電類型的第三區域，在與半導體襯底相反的表面處的第二阱中形成；器件的第一連接端子，被連接到第一阱和第二區域；器件的第二連接端子，被連接到第二阱和第三區域；其中第一阱、半導體層、第二阱和第三區域形成第一橫向晶閘管；其中第二阱、半導體層、第一阱和第二區域形成第二橫向晶閘管；并且其中掩埋區域與襯底的PN結形成具有雪崩電壓的齊納二極管，雪崩電壓設置保護器件的觸發閾值。

在一些實施例中，第一阱和第二阱僅通過半導體層的一部分而被彼此橫向地分離。

在一些實施例中，該器件還包括第二導電類型的停止溝道區域，停止溝道區域具有大于半導體層的摻雜水平的摻雜水平，停止溝道區域在與半導體襯底相反的表面處的半導體層中形成，并且被定位成將第一阱與第二阱橫向地分離。

在一些實施例中，從頂部觀察，停止溝道區域完全圍繞第一阱和第二阱中的每個阱。

在一些實施例中，該器件包括第一垂直絕緣壁，從頂部觀察，第一垂直絕緣壁圍繞第一阱和第二阱，第一絕緣壁跨半導體層的整個厚度、并且跨掩埋層的整個厚度延伸。

在一些實施例中，該器件還包括第二垂直絕緣壁和第三垂直絕緣壁，第二垂直絕緣壁和第三垂直絕緣壁在半導體襯底與半導體層之間的界面的不包括掩埋區域的一部分中，第二垂直絕緣壁和第三垂直絕緣壁分別橫向地界定第一二極管和第二二極管，第一二極管和第二二極管分別由半導體襯底與半導體層之間的第一結和第二結來限定。

在一些實施例中，半導體層的由第二垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被連接到第二連接端子，并且其中半導體層的由第三垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被連接到第一連接端子。

在一些實施例中，觸發閾值在5伏至20伏之間。

在一些實施例中，第一導電類型和第二導電類型分別是P型和N 型。

本公開的實施例能夠使針對靜電放電保護的器件結構更加緊湊。

附圖說明

將在下面結合附圖對特定實施例的非限制性描述中詳細討論前述和其他特征和優點，其中：