[實用新型]針對靜電放電的保護器件

有效

• 申請號: 202020478895.0
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN212342624U
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: E·拉孔德;O·奧里
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種針對靜電放電的保護器件，其特征在于，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

第二導電類型的半導體層，所述半導體層涂覆所述半導體襯底；

所述第二導電類型的掩埋區域，所述掩埋區域在所述半導體襯底與所述半導體層之間的界面處，具有大于所述半導體層的摻雜水平的摻雜水平；

所述第一導電類型的第一阱和第二阱，在與所述半導體襯底相反的表面處的所述半導體層中形成；

所述第二導電類型的第二區域，在與所述半導體襯底相反的所述表面處的所述第一阱中形成；以及

所述第二導電類型的第三區域，在與所述半導體襯底相反的所述表面處的所述第二阱中形成；

所述器件的第一連接端子，被連接到所述第一阱和所述第二區域；

所述器件的第二連接端子，被連接到所述第二阱和所述第三區域；

其中所述第一阱、所述半導體層、所述第二阱和所述第三區域形成第一橫向晶閘管；

其中所述第二阱、所述半導體層、所述第一阱和所述第二區域形成第二橫向晶閘管；并且

其中所述掩埋區域與所述襯底的PN結形成具有雪崩電壓的齊納二極管，所述雪崩電壓設置所述保護器件的觸發閾值。

2.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，所述第一阱和所述第二阱僅通過所述半導體層的一部分而被彼此橫向地分離。

3.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，還包括所述第二導電類型的停止溝道區域，所述停止溝道區域具有大于所述半導體層的摻雜水平的摻雜水平，所述停止溝道區域在與所述半導體襯底相反的所述表面處的所述半導體層中形成，并且被定位成將所述第一阱與所述第二阱橫向地分離。

4.根據權利要求3所述的保護器件，其特征在于，從頂部觀察，所述停止溝道區域完全圍繞所述第一阱和所述第二阱中的每個阱。

5.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，包括第一垂直絕緣壁，從頂部觀察，所述第一垂直絕緣壁圍繞所述第一阱和所述第二阱，所述第一垂直絕緣壁跨所述半導體層的整個厚度、并且跨所述掩埋區域的整個厚度延伸。

6.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，還包括第二垂直絕緣壁和第三垂直絕緣壁，所述第二垂直絕緣壁和所述第三垂直絕緣壁在所述半導體襯底與所述半導體層之間的所述界面的不包括所述掩埋區域的一部分中，所述第二垂直絕緣壁和所述第三垂直絕緣壁分別橫向地界定第一二極管和第二二極管，所述第一二極管和所述第二二極管分別由所述半導體襯底與所述半導體層之間的第一結和第二結來限定。

7.根據權利要求6所述的保護器件，其特征在于，所述半導體層的由所述第二垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被連接到所述第二連接端子，并且其中所述半導體層的由所述第三垂直絕緣壁橫向地界定的一部分經由接觸區而被連接到所述第一連接端子。

8.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，所述觸發閾值在5伏至20伏之間。

9.根據權利要求1所述的保護器件，其特征在于，所述第一導電類型和第二導電類型分別是P型和N型。